（Ａ） 無電解めっき
無電解めっき
置換型（浸漬めっき） イオン化傾向に差を利用
還元型 化学還元剤使用
非触媒型
触媒型 化学還元剤の反応に触媒が必要
自己触媒型
下地触媒型
斉藤
岡
Ｎｉ−Ｂは
コストと浴安定性に問題がある。
金めっき
関東化学 加藤
無電解
置換Ａｕめっき 下地とのイオン化傾向差 〜０．１μｍ
厚付け置換Ａｕ 重金属使用（Ｐｂ、Ｔｌ等） ０．１〜０．５μｍ
自己触媒型（無電解） ボンディング用、セラミック基板用
自己触媒型の比較
表面処理
（Ｂ） 無電解Ni-PにおけるＰ量の影響
松下 西浦
無電解Ni/Au（０．０４μｍ）、P：５．４、７．２、１０．２重量％
φ７６０μｍ、
Sn-3.5Ag、Sn-3.5Ag-0.75Cu、Sn-2Ag-0.75Cu-3Bi、Sn-37Pb、
冷間プルCBTと熱間プルHBT、０．３ｍｍ／ｓ
長南 秋田県大
P：０、２、４、８、Au:１００ｎｍ
Sn-3.5Ag、Sn-3.5Ag-0.7Cu、Sn-50Pb
Pの影響
Ni-P/0.05μｍAu、P:６．１、８．８、１２．３ｗｔ％
Ｌａｍｐｒｅｃｈｔ Ｐ量
Ｎｉ：３μｍ ｖｓ ６、Ａｕ：０．０６ ｖｓ ０．１４、Ｐ：７−９ｗｔ ｖｓ ９．５−１３ｗｔ
Ｎｉが薄く、Ａｕが厚いと高衝撃
高Ｐでは、Ｎｉ薄くても脆性破壊おきず
ＡｌボンディングではＰ影響なし
Ａｕボンディングでは高Ｐが良い。Ａｕは電解の１／１０で良い
ＢＧＡ：ＳＡＣ
以上ＳｎＰｂ？以下ＳＡＣ
| 戻 る | 目 次 | 次 へ |