再堆積redepositionとは電極（パッド）から溶解し、はんだバルク中に分散した成分がエージングで電極付近に
層状のIMCとして偏析していく現象。
界面に層状（帯状）に形成されるために、脆い破断面となりやすく、信頼性上の問題となる。
Ni/AuのAuで見られ、Niとの親和力によるとされる。
Ｃｕがはんだ中に存在すると（電極からの溶解も含め）、Ａｕは（Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５として消費され（（Ｃｕ６Ｓｎ５に固溶）、
再堆積はおきにくい。
ＡｕはＡｕＳｎ４化（Ｐｄも同様構造のＰｄＳｎ４を形成）による体積増加がＣｕ６Ｓｎ５、Ａｇ３Ｓｎなどより大きいので
一層問題となりやすい。
Ni表面へのCu6Sn5形成もその速い現象ともみられ、AuのほかにAg、Pdなどでも起こりうるかが問題である。
Ag3Snは層状でなく突起物状に電極面に堆積するともいわれる。
（１１−１０−１） Ｎｉ／Ａｕとのはんだ接合におけるＡｕＳｎ４の再堆積
リフローでＮｉ上に形成されるＡｕＳｎ４層は速やかにはんだバルク中に分散する。
しかしエージングによりＮｉ３Ｓ４上に連続層として再堆積する。
最初Ｓｎ−Ｐｂで見られた。Ｐｂフリーはんだでは組成により見られたり、見られなかったりする。
Kao spalling Ｋａｏ２
Ｓｎ−ＰｂはんだとＮｉ基体（Ｎｉ／１μｍＡｕ）の反応によるＡｕ脆化。
→エージングによりせん断強度が大きく低下。
界面の微細構造
エージングで接合界面へ（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４が層状に偏析
はんだへのＮｉ添加効果
はんだ中へのＮｉ添加により接合界面への（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４再堆積は抑制される。
（Ａｕ，Ｎｉ）４Ｓｎ３の再編制の駆動力はＮｉへの親和性
Ａｕの高速拡散
（Ｓｎ中の拡散）
はんだへのＣｕ添加効果
Ｃｕ添加により（Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５が形成されＡｕＳｎ４再堆積は抑制される。
Minor
共晶Ｓｎ−Ｐｂ、電解Ｎｉ／１．５μｍＡｕ
HUT
Ｎｉ／Ａｕと各種はんだ
Ｌａｕｒｉｌａ
電気化学Ｎｉ／５μｍＡｕ（！）、１５０℃エージング
＊１５０℃エージングの写真と上記写真が全く同じ（！）
（１１−１０−２） 電極間交互作用と再堆積
現実のはんだ相互接合は電極｜はんだ｜電極のサンドイッチ構造となる。
この場合、主要な組み合わせはＣｕとＣｕ、ＣｕとＮｉ、ＮｉとＮｉで、主にＮｉがＮｉ／Ａｕの構成をとる。
このようなはんだ接合ではＮｉ／ＡｕからのＡｕとＣｕ電極からのＣｕ溶解が大きな影響を及ぼす。
電極からの溶解などによりＣｕをはんだ中に含有すると、はんだ中のＣｕ同様にＣｕ６Ｓｎ５にＡｕを固溶し、
再堆積しにくくなる。
従って基板がＮｉ／Ａｕ表面処理で部品がＮｉ／Ａｕめっき（リードめっき、セラミック・チップ・キャリアなど）、
Ｎｉ／Ｓｎめっき（チップ部品）、Ｎｉ ＵＢＭなどの場合で主に問題となる。
Ｐｏｗｅｒ
ＱＦＮ、ＴＯＰＳ、ＦＰ
ＳＡＣ３０５
ＣｕとＮｉ／Ａｕ ＜１ｗｔ％Ａｕ
ＣｕとＮｉ／Ａｕ ３〜７％Ａｕ
Ｎｉ／ＡｕとＮｉ／Ａｕ ２〜３％Ａｕ
Ｎｉ／ＡｕとＮｉ／Ａｕ ４〜７％Ａｕ
Ｎｉ／ＡｕとＮｉ／Ａｕ ＞１０ｗｔ％Ａｕ
Ｃｕがはんだ中に存在すると（電極からの溶解も含め）、恒温エージングで（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４は界面に再堆積しない。
→（Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ）６Ｓｎ５を形成。
部品と基板の両者がＮｉだと恒温エージングで（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４が界面に移動。
香港市大Ｃｈａｎ Ｃｕ／Ａｕ 共晶ＳｎＰｂ
部品：Ａｕ１μｍのＣｕ／Ａｕ、ＰＣＢパッド：Ｎｉ／Ａｕ Ａｕ＜０．１μｍ
ＡｕのＩＭＣの再堆積がみられていない。
Chen はんだ中Ｃｕの枯渇の影響
SAC305、電解Ni/１μｍAu、無電解Ni-１０P/０．０３μｍAu
Cuの（Cu,Ni,Au)6Sn5としての消費にともない（Au,Ni)Sn4の再堆積が起こる。これにははんだの体積効果が
影響する。
Ａｌａｍ Ｎｉ層枯渇の影響
Ｓｎ−３７ＰｂＢＧＡ、電解Ｎｉ／Ａｕ
破壊表面
薄い０．１μｍ、厚い１．３μｍ
界面ＩＭＣの形成
Ｎｉが薄いと完全消費し、ＣｕとＳｎが反応し（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５が形成される。
（Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５が存在すると層状のＡｕＳｎ４は形成されない。
Ｎｉが厚いと（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４が再堆積（界面に層状の偏析）
Ｎｉが薄いとＳｎがＣｕと（Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５を形成しＡｕＳｎ４の連続層は形成されない。
（１１−１０−３） Ａｕ厚み、Ａｕ量の影響
ＡｕＳｎ４が連続層を形成するかどうかはＡｕ量も影響する。
Ａｕ量の行方
バルク、表面、界面（再堆積）、
固溶 （Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５
トラップ
Ｎｉ
Ａｇｉｌｅｎｔ Ｐａｎ
ＳＡＣとＡｕ量
ＳｎＰｂの電解Ｎｉ／Ａｕとのはんだ接合が凝固すると脆いＡｕＳｎ４ないし（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４がはんだバルクに形成される。
エージングでＡｕＳｎ４はＮｉ界面に移動しＮｉ３Ｓｎ４の上に（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４連続層を形成する。
（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４とＮｉ３Ｓｎ４の脆い界面は脆性界面破壊をもたらす。
Ｎｉの薄い層はＣｕのはんだと（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４の界面へ拡散を促進し（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４を（Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５層に変え良い結果
をもたらす。（薄いＮｉはＰＣＢシェルフ寿命やはんだ付け性に限界）
アニールではんだバルクのＡｕＳｎ４が成長すると破壊はＡｕＳｎ４ ＩＭＣを通る破壊となる。
＊機械的振動や落下などの高速ひずみでは脆くなった界面で生じ、熱疲労では亀裂はバルク中の大きなＩＭＣを伝播する。
Ｐｂフリーはんだは共晶Ｓｎ−Ｐｂより多くＡｕを固溶
ＣＡｕ＝１．４２ｘ１０３exp（−０．６１／（ｋＴ））
１０ｗｔ％以上は不可
Ｃｕがはんだ中に供給されるなら５％以下は顕著な信頼性劣化はない。
両側（ＰＣＢと部品）がＮｉでＣｕ供給がないと３％以下が受容される。
ＱＦＮ、ＴＯＰＳ、ＦＰ
（薄いＡｕ：０．５μｍ以下、厚いＡｕ：１μｍ以上）
はんだ中のＡｕ量についてＳＡＣ３０５では１０％以上は受け入れられないとする。
Ｃｕがはんだ接合に溶解する場合はＡｕは５％以下なら問題なし、Ｎｉが存在する場合、Ｃｕの溶解
が制限され、Ａｕは３％以下とする。
Ni/AuでのAu再堆積 Ｓｉｌｋ Ni/Au|solder|Au/Ni ＳＡＣ３０５
もしCuが存在し接合に溶解するとAuSn4はエージングで界面に移動しない。界面に連続層を形成しない。
Ni-Niではエージングで（Au,Ni)Sn4層成長。
Cu-Niでは（Cu,Ni,Au)5Sn6が成長しAuSn4は存在しない。
薄いＡｕ：０．０８−０．３８μｍ、厚いＡｕ：２−２．５４μｍ
ＱＦＮ、ＴＯＰＳ
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