（１１－１０－４）　Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｏの影響

　Ａｕ以外ではＡｇ、Ｃｕ、ＰｄなどがＳｎへの溶解度が大きい。
　
　なかでＰｄＳｎ４がＡｕＳｎ４と同じ結晶構造をもち、Ａｕ→ＰｄＳｎ４で大きな体積変化を行う。
　更にＣｏはＮｉと似た性質をもつ。

　Ｃｕ６Ｓｎ５は凝固過程でＮｉ上へ堆積現象を示し、これは速い再堆積ともみれる。

（Ａ）　Ａｇの影響

　SnAg　Ｃｈｉ台湾　Ｃｕ／ＡｇとＣｕ／Ｎｉ／Ａｕパッド
　　置換０．２μｍＡｇ、電解５μｍＮｉ／置換０．５μｍＡｕ、はんだＳｎ－３．５Ａｇ、直径０．４ｍｍボール

　　　　　　　　Ｃｕ／Ａｇ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ
　

　　Ｃｕ／Ａｇ　１００℃アニール

　　Ｃｕ／Ａｇ　１５０℃アニール

　　Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ　１００℃アニール

　　Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ　１５０℃アニール

Ａｉｓｈａ
　　Ｃｕに約２μｍの置換Ａｇ（ＩｍＡｇ）、はんだはＳＡＣ４０５とＳＡＣ３０５

Ｌｉｕ　Ａｇ３Ｓｎによるトラップ
　　共晶Ｓｎ－Ａｇ（直径７５０μｍ））と電解Ｎｉ／１μｍＡｕ

　１μｍ程度のＡｕ層は１０秒以下（ピーク温度２５０℃）で消費される。
　時間と共にＡｕＳｎ４粒は根元でＮｉ層から離れはんだ中に取り込まれる。
　３０秒ですべてのＡｕ　ＩＭＣは界面を離れ、界面にはＮｉ３Ｓｎ４が形成され始まる。
　エージングではＳｎ－３７Ｐｂと異なり少量の（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４が界面に戻り、連続層は形成されない。
　多量の（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４粒子がＡｇ３Ｓｎ粒子のトラップされ界面に戻るのを抑制する。

＊はんだ中Ａｇの影響
Chen
　Ｓｎ－３．５Ａｇボール：径７６０μｍ
　Ｃｕ｜Ｓｎ３．５Ａｇ｜無電解Ｎｉ／０．０３μｍＡｕ
　Ｃｕ側はポーラスＣｕ６Ｓｎ５上にＡｇ３Ｓｎデンドライト成長。
　Ｎｉ側には（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５形成。

　Ｃｕ｜Ｓｎ３．５Ａｇ｜電解Ｎｉ／１μｍＡｕ
　Ａｕが両面のＩＭＣ成長を抑制。
　　　Ｎｉ側　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃｕ側

（Ｂ）　Ｐｄの影響

　Ａｕ同様Ｎｉ３Ｓｎ４上への（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４のエージングによる再堆積があるとされる。

Ｏｄａ

　長時間エージングでＣｕ含有はんだでは（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５にＰｄが固溶するがＣｕを含まないはんだでは
（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４がＮｉ３Ｓｎ４上に形成。

Ｋｉｍ
　はんだ：ＳＡＣ３０５
　ＰｄはＡｕよりＳｎに溶解しにくいので、Ｐｄが厚い（０．３μｍ以上）と溶解しきれないＰｄとＳｎが反応し
（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４が（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５の上に形成される。

Ｈｏ
　はんだ中に０．２ｗｔ％以上のＰｄでＮｉ３Ｓｎ４上に（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４が堆積し界面強度が顕著に低下。
　２５０℃での反応、パッド：電解Ｎｉ。