(13−9−4) DfR ソルーション社の報告
@ Pbフリーはんだの信頼性
IVF 2011
信頼性:Pbフリーへの移行
懸念される環境
温度変化(温度サイクル)
振動(高サイクル疲労)
機械的衝撃(低サイクル疲労)
高温(長期エージング)
低温(Sn ペスト、延性・脆性遷移)
腐食(高湿、腐食性ガス)
長期信頼性
SAC、SnCuはSnPbと同等か優れている
ただし落下、機械的衝撃は除く
SnCuはSnPbとSACの適度な中間
SACほど脆くbrittleない
SnPbよりクリープ耐性がある
広くウェーヴとHASLで受け入れられている
温度サイクル(熱サイクル)
多くの電子故障は熱機械的なものに関係
熱膨張率差が根本原因
SnPbvsSAC
SnPbは優れているのは
リ−ドレス、セラミック部品
厳しい温度サイクル
−40〜125℃、−55〜125℃
どんな場合にSnPbがPbフリーより勝るか
リードレス、セラミック部品
リードレス・セラミック・チップ・キャリア(水晶)、抵抗
厳しい温度サイクル
−40℃〜125℃
−55℃〜125℃
Pbフリーはより高い加速係数を示す
加速寿命試験での故障は長期使用寿命と同じ
ΔTが大きくなるとSnPbがSACを上回るようになる
しかし単純ではない・・・曲線の傾きと移行は部品と保持時間による
応力緩和(の影響)
高AgSACはより耐クリープ性が優れている
例外は非常な高温(>125℃)、高応力負荷(リードレス、セラミック)
保持時間効果
いつが故障であり、故障でないか。
SAC305の研究
SACの焦点はBGA、TSSOP(薄、縮小、小型外周パッケージ)、リードレス・チップ部品(大きなもの、2512、1206)
チップ抵抗:部品が大きいと寿命が短い
保持時間の影響
CTE差が減少し、部品が柔軟になると保持時間降下減少
長期保持
長時間保持でSnPb、SACどちらも短期に故障。
劣化速度はSACが速いがそれでもSACが優れている。
エージング効果・・影響は小さい
長期保持と部品の影響
結論(SnPbvsSAC305)
ほとんどの作動環境で統計的に差は小さい。
SN100Cの場合
初期故障の影響(SAC、SnPb)
SN100C>SAC>SnPb
低AgSACの場合
冷却速度、保持時間、接合寸法の影響
SAC105とSAC305の差は小さい
Hillman 2010
PCBの強さ
パッド・クレータリング
電気化学マイグレーション
パッド・クレータリング
動的機械的事象で積層板内で亀裂発生。
回路試験(イン・サーキット試験)、基板分割、コネクタ挿入、衝撃、振動・・・
きっかけ
微細ピッチ部品、
高脆性積層板
硬いstifferはんだ(SACvsSnPb)
大きなヒートシンクの存在
標準的手順では検出困難
X線検査、染色浸透検査dye-n-pry、ボール・せん断、ボール・引き
対策
ソルダマスク規定(被せ)と非規定
柔軟なはんだ・・低AgSAC
パッド・クレータリングはPbフリー問題か
はんだ信頼性
IMCの影響
IMC成長
エージング温度によるによる電気的抵抗や強度の変化は小さい。
信頼性
疲労
機械的疲労は低サイクル(高振幅)事象<衝撃>と高サイクル(低振幅)事象(振動)で起きる。
高サイクル疲労
繰り返し曲げ
振動試験
機械的サイクルの寿命は2つに分けられる
低サイクル疲労
高サイクル疲労
低サイクル疲労は塑性ひずみ駆動(Coffin-Manson)
高サイクル疲労は弾性ひずみ駆動(Basquin)
ほとんどの試験結果は寿命を基板水準のひずみでプロット
弾性範囲でだけはんだひずみと等価
繰り返し曲げは振動より厳しくない(1/2〜1/4)
試験結果
KAIST
1.27mmピッチ、256 I/O BGA(27x27mm)
試験:幅100mm
Motorola
0.8mmピッチ 179I/O(14x14mm) 幅44mm、1Hz、変位0.2〜0.5mm
DfR
2512チップ抵抗(6.25mmx3mm)、幅100mm、4Hz
コフィン・マンソン予測
振動
JGPP → (13−6−3)
JCAA/JG−PPの調査結果(航空機・軍用向け信頼性試験)
BGAではいつもSnPbがPbフリーより優れている。
レードレス、リード部品では決定的でない。
Intel
サイン曲線振動、0.75g〜4.0g
実験手順
基板の位置で応力水準が異なりばらつき大きい
結果解釈
SACはSnPbより硬いstiff
低サイクル疲労(塑性駆動)
変位駆動機械サイクル SnPbが良い CSP
荷重駆動機械サイクル SACが良い TSOP
高サイクル疲労(弾性駆動)
SACが良い
Steibergの臨界変位(ランダム振動で20万回生き残り)
機械的衝撃
SACはSnPbより強くrobustでない・・・必ずしも一貫性はない
基板破壊への交叉crossoverの発生・・・ひずみ速度依存
めっきが重要・・・ENIGとCu
SnNi対SnCu IMC
エージングで落下破壊性悪化
1000cまでで延性−脆性破壊遷移
高温保存
150℃、1000hrのCSP
SN100CとSAC305は類似の挙動、SnPbが若干良い。
破壊は主にCSP界面近く。
典型的には混合破壊、曝露で脆性破壊が増加。
前処理PCの影響 恒温エージングと温度サイクルTC
タンペレ大、ヌルミら
温度サイクルでの微細構造の進化
SnPbは温度サイクルで粗粒化。粒内破壊がおきやすい。
SACは高傾角粒界で再結晶し微粒化。Cu基体で速く一様におきやすい。粒間破壊。