これまでいくつかのはんだ添加成分（Ｓｎ以外の成分）の界面反応への影響についてはある程度触れてきたが、詳しく触れることの
できなかったものを含めまとめて紹介する。
（１１−１１−２） インジウムＩｎの影響
Ａｕ−Ｉｎ２元状態図
Ｃｕ−Ｉｎ２元状態図
Ｎｉ−Ｉｎ２元状態図
界面反応ではＩｎはＳｎを置換しＮｉ３（Ｓｎ，Ｉｎ）４、Ｃｕ６（Ｓｎ，Ｉｎ）５を形成、ＡｕとはＡｕＩｎ２を形成し、Ａｕが厚いと
界面に層状にとどまるとする場合が多い。ＣｕとはＣｕＩｎ２を形成する場合もある。
（Ａ） 共晶Ｉｎ−Ｓｎの界面反応
Koo
電解E-NG：７μｍNi/０．７μｍAu、無電解ENIG:：５μｍNi-P/0.15μｍAu、置換Ａｇ、ＯＳＰ
はんだバルク：β（In3Sn)、γ（InSn4）
界面のＩＭＣは電解Ｎｉ／ＡｕはＡｕＩｎ２、無電解５Ｎｉ／０．１５置換ＡｕはＮｉ３（Ｓｎ，Ｉｎ）４、ＯＳＰはＣｕ６（Ｓｎ，Ｉｎ）５、
置換Ａｇは若干Ａｇで置換されたＣｕ６（Ｓｎ，Ｉｎ）５、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｓｎ）２。
窒素雰囲気でボンディング、１５０℃ｘ１００秒。
IMC-1：（Cu,Ag)6(Sn,In)5、IMC-2:：（Cu,Ag)(In,Sn)2
ＩｎＳｎとＣｕ Chuang
RomingらはＣｕの溶融Ｉｎ−５０Ｓｎへのディップ後の６０−１１０℃のエージングでＣｕ２（Ｓｎ，Ｉｎ）とＣｕ２Ｉｎ３Ｓｎの２層、
ViancoらはＣｕ／より厚いＣｕ２６Ｓｎ１３Ｉｎ８／薄いＣｕ１７Ｓｎ９Ｉｎ２４／はんだの２層構造を確認。
ＦｒｅｅｒらはＣｕ２Ｉｎ３Ｓｎ、Ｃｕ２（Ｓｎ，Ｉｎ）の２層。
この実験では３００−４００℃はＩｎ置換のεＣｕ３（Ｓｎ，Ｉｎ）とηＣｕ６（Ｓｎ，Ｉｎ）５、２５０℃以下はＩｎ置換のη
高温
２００℃での溶融Ｓｎ−５２Ｉｎとの反応 Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ
SEM images of IMCs features and distributions: (a) Cu/In-Sn couple after 2 h; (b) Ni/In-Sn couple after 24 h;
(c) Pt/In-Sn couple after 3 weeks; (d) Ti/In-Sn couple after 96 h; (e) V/In-Sn couple after 12 days;
and (f) Nb/In-Sn couple after 3 months.
Plot of Tm versus the lifetime of a 1 μm thick layer. Note that the vertical axis is on the logarithmic scale
and the R value is the coefficient of correlation for the linear data fitting.
Ｙａｎ
Ｉｎ−４８Ｓｎを無電解３Ｎｉ／０．２Ａｕと０．２Ｔｉ／２Ａｕ
Ｔｉの反応層は見えない。
韓国弘益大のChoiら４８Ｓｎ−５２ＩｎバンプとＴｉ（０．１μｍ）／Ｃｕ（１．５μｍ）／Ａｕ（０．１μｍ）のＵＢＭの１５０℃、１分のリフロー
による接合ではＣｕ層はほとんどＩＭＣ化するという。
（Ｂ） Ｓｎ−２０Ｉｎ−Ｘ
Jain 国立台湾大 Ｓｎ−Ｉｎ−Ａｇ Ｓｎ−２０Ｉｎ−２．８Ａｇ ＢＧＡとＡｇ／Ｃｕ
０．２ＩｍＡｇ
界面は（Ｃｕ，Ａｇ）６（Ｉｎ，Ｓｎ）５、１００℃ノエージングで成長はみられなかったが
１５０℃では成長は加速され帆立貝殻状ＩＭＣがはんだ中に浮遊。
Ｃｈｅｎｇ
Ｓｎ−２０Ｉｎ−２Ａｇ−０．５ＣｕとＳＡＣ３８７の比較、表面処理は電解Ｎｉ／０．７μｍＡｕ
ＩＭ１ａ：（Ｃｕ０．７０Ｎｉ０．２８Ａｕ０．０２）６Ｓｎ５、ＩＭ２ａ：（Ｃｕ０．７０Ｎｉ０．１４Ａｕ０．１６）６Ｓｎ５
エージングでＡｕが多く、Ｎｉの少ないＣｕ６Ｓｎ５が上に生成し２層となり上のＡｕの多いＩＭＣは剥離。
＊spallingはＩＭ２ａの間違い
Ｓｎ−２０Ｉｎ−２Ａｇ−０．５Ｃｕでは最初（Ｃｕ，Ｎｉ）６（Ｓｎ，Ｉｎ）５、更なるエージングで下から（Ｎｉ，Ｃｕ）（Ｓｎ，Ｉｎ）２生成。
ＳＡＣ３８７はすべて靭性破壊だがＳｎ−２０Ｉｎ−２Ａｇ−０．５Ｃｕは（Ｎｉ，Ｃｕ）（Ｓｎ，Ｉｎ）２層での脆性破壊へ遷移。
Ｗｕ
Ｓｎ−２０Ｉｎ−２．８ＡｇとＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ（詳細不明）
Ｓｎ−Ｉｎ−Ｃｕ
Φ０．４ｍｍのボールＳｎ−２０Ｉｎ−０．８Ｃｕと電解Ｎｉ（５）／Ａｕ（０．５）
界面のＩＭ１ＰはＣｕ６（Ｓｎ，Ｉｎ）５＋Ｎｉ３（Ｓｎ，Ｉｎ）４でバルクのＩＭ２ＰはＡｕＳｎ２を置換した（Ａｕ，Ｃｕ）（Ｉｎ，Ｓｎ）２であるとする
Ｃｈｕａｎｇ
Ｎｉ／０．７Ａｕ
Ｃｈｕａｎｇ 国立台湾大
Ｓｎ−２０Ｉｎ−２．８Ａｇ（１７６−１８８℃）とＮｉ基体
界面ＩＭＣはＮｉ３（Ｓｎ０．９９Ｉｎ０．０１）４
Ｙｅｈ
Ｓｎ−１０Ｉｎ−２．８Ａｇは完全なγ相、１５％以上では
γマトリクスにＩｎリッチ相。
Ｓｎ−Ｉｎ−Ｃｕ Ｃｈｉａｎｇ国立台湾大 Ｃｈｕａｎｇ
Ｓｎ−２０Ｉｎ−０．８Ｃｕ（１６８−１８５℃） ＢＧＡとＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕパッド
バルクにはＣｕ６（Ｓｎ，Ｉｎ）５、界面に帆立貝殻状のＣｕ６（Ｓｎ，Ｉｎ）５とＮｉ３（Ｓｎ，Ｉｎ）４混交体
バルクには（Ａｕ，Ｓｎ）（Ｉｎ，Ｓｎ）２も存在。
１１５℃、７５０ｈのエージングでＮｉと前記混合体の間に（Ｎｉ，Ｃｕ）３（Ｓｎ，Ｉｎ）２が形成される。
Ｓｎ−２０Ｉｎ−２Ａｇ−０．５Ｃｕ
電解Ｎｉ（１０）／Ａｕ（０．７）
Ｓｎ−２０Ｉｎ−２Ａｇ−０．５Ｃｕで液相線と固相線が１６６−１７９℃
（Ｃ） Ｓｎ−Ａｇ（−Ｃｕ）＋Ｉｎ
Ｉｎ sharif Ｃｕと
Ｓｈａｒｉｆ Ｉｎ 電解Ｎｉと無電解Ｎｉ（１６Ｐ）、Ａｕは０．５μｍ
Ｓｎ−９Ｉｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｃｕ
ＳＥＢＯ チェコ Ｓｎ−３．５Ａｇ−ｘＩｎ
Ｃｕ６Ｓｎ５ Ａｇ３（Ｉｎ，Ｓｎ） 近くにＡｇ３Ｉｎ Ａｇ３Ｓｎ
韓国先端科学技術研究所のチョイらによるとＣｕ、Ｉｎ、Ｎｉ
Ｃｈｏｉ Ｘ＝Ｃｕ，Ｉｎ，Ｎｉ
無電解Ｎｉ／０．６μｍ蒸着Ａｕ、Ｓｎ−３．５Ａｇ−Ｘ
Ｓｎ−３．５Ａｇ−６．５Ｉｎでは界面近くのはんだにγＡｇＩｎとＡｕ−Ｉｎ相が存在。
ＩＭＣ層は多より厚い。
接合のＩＭＣはＳｎ，Ｎｉ，ＩｎよりなるＮｉ３Ｓｎ４に近い組成。
Ｓｎ−３．５Ａｇ−１．０ＣｕとＳｎ−３．５Ａｇ−１．５Ｃｕでは大きな棒状のＡｇ３Ｓｎが
界面近くに形成。ηＣｕ６Ｓｎ５が界面近くに偏析。
Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｎｉ界面近くにＮｉ３Ｓｎ４が見られる。
ＩＭＣ層は非常に薄く、Ｎｉ３Ｓｎ４。
Ｓｎ−３．５Ａｇ−６．５ＩｎのＩＭＣ成長が一番速い。
Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｎｉが一番遅い。
Ｓｎ−３．５Ａｇ−１．５Ｃｕでは界面近くのＣｕ６Ｓｎ５が界面のＩＭＣと結合。
Ｓｎ−３．５Ａｇ−６．５Ｉｎのせん断強度が他より低い。
Wang
中国科学院の王らによると
スパッタＴｉＷ（０．０５）／Ｃｕ（０．２）→電解Ｃｕ（５）、Ｓｎ−Ａｇ（４０）、Ｉｎ（４−５）
リフローは２６０℃、３０分
ＩＭＣ３：Ａｇ２Ｉｎ ＩＭＣ２：Ｃｕ６（Ｓｎ，Ｉｎ）５ ＩＭＣ１：Ｃｕ３（Ｓｎ，Ｉｎ）
（Ｄ） Ｉｎと各種基体
In Liu 台湾 液体ＩｎとＡｇ
In Ni Ｔｓｅｎｇ 液体Ｉｎ
Ｎｉ１０Ｉｎ２７ ３００℃以下
Ｎｉ２Ｉｎ３
Ｉｎ Ａｕ Ｌｉｕ 液体Ｉｎ ＡｕＩｎ２
Ｉｎ Ａｇ Ｗａｎｇ
電解めっきでＩｎ／Ａｇを形成、,常温での変化
ＩｎとＡｕ／ＣｕあるいはＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕ
Ａｕ、Ｎｉは電解めっき、Ａｕは０．４−０．５μｍ。リフローは４７０Ｋ、６０秒。
Ｃｕ１１Ｉｎ９とＩｎ２７Ｎｉ１０がそれぞれ形成。
ＩｎとＣｕ Ｙｕ 国立台湾大
液体Ｉｎ、高温ではＣｕ１６Ｉｎ９ ４００℃、１２０秒ではＣｕ１１Ｉｎ９とＣｕＩｎ
山中
１２５℃、１３０３ｈ
φ１２５μｍ、厚み２５μｍのＣｕバンプ。
（Ｅ） ＺｎとＩｎの競合
Ｃｈｅｎ
Ｓｎ−２０Ｉｎ−ｘＺｎとＡｇ、Ｎｉで２３０℃
Ａｇ
Ｚｎ＜０．７ はんだ／ζＡｇ−Ｓｎ／Ａｇ
Ｚｎ＝５ Ａｇ−Ｚｎ ε、γ、ζ ＡｇＺｎ３／Ａｇ５Ｚｎ８／ＡｇＺｎ／Ａｇ
Ｎｉ
Ｚｎ＜１ Ｎｉ３Ｓｎ４／Ｎｉ
＞２．０ γＮｉ５Ｚｎ２１／Ｎｉ３Ｓｎ４／Ｎｉ
中国
Ｓｎ−８Ｚｎ−２０Ｉｎ
１５６〜１７１℃
Ｓｎ−Ｉｎ−Ｚｎ Ｓｕｈ
Ｉｎ−４６Ｓｎ−１．５Ｚｎ Ｔｍ≒１０８℃ 固溶体
Ｂｉ−５１Ｉｎ−Ｚｎ １１０−１２０℃でリフロー。
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