Ｐｂフリーはんだ及びはんだめっきはすべてに優れた特性をもつものがなく複数のものが候補となっている。
またＰｂフリー化の過渡期にはＰｂはんだとＰｂフリーはんだの混用も有り得る。
従ってＰｂフリーはんだにおいては異種はんだ合金の混合の問題が生じる。
Ｐｂフリーはんだにおける異種はんだ合金の混合の問題は
（Ａ） 過渡期におけるＳｎＰｂはんだ（はんだめっき）とＰｂフリーはんだ混合の問題（互換性compatibility）
（Ａ−１） 後方互換性・・・Ｐｂフリー部品とＳｎＰｂはんだ
Ｐｂフリーはんだめっき部品とＳｎＰｂはんだ
ＰｂフリーはんだボールとＳｎＰｂペースト
（Ａ−２） 前方互換性・・・Ｐｂ部品とＰｂフリーはんだ
ＳｎＰｂはんだめっき部品とＰｂフリーはんだ
（Ｂ） 異種Ｐｂフリーはんだ及びはんだめっきの混合の問題
（Ｂ−１） 各種はんだと各種はんだめっきの組合せ
（Ｂ−２） 各種はんだの混合（リワーク、リペア）
（Ｂ−３） 低ＡｇＳＡＣはんだボールとＮＥＳＡＣペーストの混合
が考えられる。
（９−２−１） 各種はんだとはんだめっきあるいは表面処理の組み合わせ
各種はんだとはんだめっきも組み合わせではＰｂフリーはんだとＳｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｂｉはんだめっきの組み合わせでの
低融点相形成、Ｂｉ含有ＰｂフリーはんだとＳｎ−Ｐｂでの低融点相形成が問題を引き起こす。
今村 阪大
Ｓｎ−３．５Ａｇ、ＳＡＣ３５７、Ｓｎ−３Ａｇ−５Ｂｉ、Ｓｎ−３．５Ａｇ−２．５Ｂｉ−２．５Ｉｎ、Ｓｎ−３７Ｐｂ
基板：耐熱プリフラックス、ＱＦＰＣｕリード：１０μｍＳｎ−１０Ｐｂ、０．３μｍＮｉ／０．０８μｍＰｄ／０．０１μｍＡｕ
接合部ＩＭＣはＱＦＰリードもすべてＣｕ６Ｓｎ５を基礎とする。（基板のＣｕパッドの影響）
高温放置でＣｕ３Ｓｎ成長が見られるが、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕでは見られない。
Ｓｎ−３Ａｇ−５Ｂｉ、Ｓｎ−３．５Ａｇ−２．５Ｂｉ−２．５ＩｎではＳｎ−１０ＰｂでＢｉ−Ｐｂリッチ相が接合部に生成。
Ｓｎ−３Ａｇ−５ＢｉではＳｎ−１０Ｐｂの場合ＩＭＣが異常成長。これは低温相（Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ）の液相化によるとする。
ＨＴ：
３９８Ｋ保持
ＴＣ：２３３−３９８Ｋ
ＮＰＬ
ＨＡＳＬ：ＳｎＰｂ
ウェーヴはんだ用部品は表面実装接着剤で基板に接着。
温度サイクル：−５５℃〜１２５℃、５分保持
結果概要
大きな部品（歪が大きい、２５１２抵抗）と従来のＳｎＰｂはんだが良く、小さいと（０６０３抵抗、ＳＯＩＣ）ＰｂフリーがＳｎＰｂと同等か良い。
ＳＡＣへのＢｉ添加は利益がある。
温度サイクル後のせん断強度はすべてのサイクルでＰｂフリーはんだが大きい。
古河
Ｗｕｌｆｅｒｔ
Ｃａｌｃｅ
ＳｎＰｂ ＨＡＳＬとＳＡＣ３８９の高温エージングで破壊モードがはんだバルクから界面に移行。
ＨＡＳＬのＳｎがＣｕと反応しＩＭＣを形成し、弱い局在化したＰｂ領域を形成。
（９−２−２） 各種はんだの混合
各種はんだの混合はリワーク、あるいはリペアで主に起こりうると考えられるが通常は特に大きな問題は生じない。
ただしＳｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉはんだなどの高Ｂｉ含有はんだのＰｂ汚染は高温エージング等で大問題を引き起こす。
（Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ３元共晶低融点相の形成に起因）
→（９−１−２） Ｐｂフリーはんだでの低融点相形成の影響
ＮＰＬ
各種はんだの混合
ＳＯＩＣあるいはＴＨ抵抗は故障検知されず、２５１２チップ抵抗の結果。
２５１２チップ・抵抗、ＰＣＢ
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