W Liu
ＢＧＡアセンブル、チップもＰＣＢも電解Ｎｉ／Ａｕパッド
ペーストはんだ使用せず。
Cookson Ｐａｎｄｈｅｒ
ＳＡＣ１０５とＳＡＣＸ（Ｓｎ−０．３Ａｇ−０．７Ｃｕ−０．１Ｂｉ） ＳＡＣ４０５とＳＡＣ３０５
Ｂｉ、Ｎｉ＋Ｃｒ 、Ｇｅ、Ｉｎ
ＣＡＢＧＡ１００、１８mil球、
基板：ＯＳＰ
落下衝撃には低ＡｇＳＡＣが良い。
Ｂｉ効果
１以下で改善効果、高Ａｇでは良くないが低Ａｇ（特にＳＡＣ０３０７）では効果がある。
ＮｉとＣｒ
Ｇｅ、Ｉｎ
Ｇｅ添加は良くない。
結論
高ひずみ速度（落下衝撃）には低ＡｇＳＡＣが良い。
ＮｉとＣｒの添加が落下衝撃改善に効果がある。
低Ａｇに対してＢｉ添加が落下衝撃とボール・プル改善効果がある。
Ｂｉレベル
ＣＡＢＧＡ８４
ＳＡＣ１０５，Ｓｎ０．３Ａｇ０．７Ｃｕ０．１Ｂｉ、ＮｉＡｕパッド、３００μｍ（１２mil）球、基板：ＯＳＰ
Ｓｙｅｄ
部品：ＮｉＡｕ
基板：ＯＳＰ
ペースト：ＳＡＣ３０５
機械的強度の良いものは落下が良くない。
Ｔｉ効果 Ｌｉｕ
ＳＡＣ１０５−０．０２Ｔｉ
＊高さが極めて低いように思われる。
Ｌｉｎ 東華大
ＳＡＣ１０５＋Ｘ
Amagai
Sn-Ag-X、Ｘ＝Co、Ni、Pt、Al、P、Cu、Zn、Ge、Ag、In、Sb、Au
落下にCo、Ni、Ptが有効、これらは界面ＩＭＣにはいりこんでいる。
A weibull plot of drop test failures before 100 °C thermal aging
A Weibull plot of drop test failures after 100 °C thermal aging (100 h).
Intermetallic compound
(a) top view of IMC after one solder reflow; (b) cross section of IMC after one solder reflow;
(c) top view of IMC after four solder reflows; (d) cross section of IMC after four solder reflows
Sn3.0Ag: Sn3.0Ag0.5Cu
Sn3.0Ag0.05Al Sn3.0Ag0.03P
Sn3.0Ag0.05Ge Sn3.0Ag0.03Ni
Sn3.0Ag0.1Zn Sn3.0Ag0.05Pt
Sn3.0Ag0.1Au Sn3.0Ag0.3Sb
Sn3.0Ag0.3In Sn3.0Ag0.03Co
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