Ａｌ含有はんだはＣｕとの反応では界面にＣｕ２Ａｌが形成されるという報告が多い。
Ａｇがはんだ中に存在するとはんだバルクにＡｇ２Ａｌ形成。
Ｎｉ／Ａｕでは薄いＡｕＡｌが界面に形成。
田中
ＳＡＣ３０５よりＳｎ２Ａｇ０．１ＡｌのＣｕ溶解が速い。
Ｃｕ板をサンドイッチ、２３３〜３９８℃、１サイクル１２０分。
ディッピング試験
溶解したＣｕは界面から離れたところでＡｌ２Ｃｕ３形成。
反応層が増加せず、溶解していく。
鈴木
エッチング組織
βＳｎ内に亜結晶粒
Ａｌで粒径微細化、２０μｍ以上から約５μｍと減少。
δ−Ａｇ２Ａｌ形成。
英文
バンプ
韓国先進科学技術研究所 Jee
Ｓｎ−ＡｇへのＺｎ添加が接合界面の改善に効果があることの類推から
Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ等も同様の期待がもてるとしてＡｌ添加効果を調査した。
その結果Ｃｕとの接合でははんだバルクと界面にＣｕＡｌ２が生じるとしている。
どちらでもＩＭＣ（Ｃｕ６Ｓｎ５、Ｎｉ３Ｓｎ４）成長抑制。
Ｎｉ−Ｐ／Ａｕでは特にＮｉ３ＰとＮｉ３ＳｎＰ形成抑制。Ａｌが多くなるとＡｌ３Ｎｉ２形成。
Ｊｅｅ SnAg-xAl ｘ＝０−１．０
０．５で界面に連続ＣｕＡｌ２層形成され剥離、１．０で平滑なＣｕＡｌ２層。
Ｎｉ−Ｐ／Ａｕでは０．１以上で薄い平滑なＡｕＡｌが界面、Ｐリッチ層なし。
どちらでもＩＭＣ成長抑制。
Sn-Al Choi
Ｓｎ−０．６Ａｌ ２２８℃
Ｋｏｔａｄｉａ
ＳＡＣ３８７＋Ｘ、Ｘ＝０−２Ａｌ
リフローでは界面にＡｌ２Ｃｕは形成されず、はんだ浴との反応では界面にＡｌ２Ｃｕ形成される。
エージングでＡｌ２ＣｕはＣｕ３Ｓｎに変化。
Ａｌ２ＣｕはＣｕ３Ｓｎに変化。
液体Ｓｎ中のＡｌの拡散係数は１１．８ｘ１０−９ｍ２／ｓ、２５０℃での溶解量は０．６ｗｔ％。
ＳＡＣ＋Ａｌ Ａｕｇｕｓｔｉｎ
界面にＡｌは存在しないがＩＭＣは薄くなっている。
Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ａｌ
Ｓｎ−２．８６Ａｇ−０．３８Ｃｕ−０．２５Ａｌが偏晶組成。２２３．６℃に単一ピーク。
Ａｌ−Ｃｕ ＩＭＣが存在。
ａ：７６．６Ａｌ−９．８９Ｃｕ−１．７１Ａｇ−１１．８Ｓｎ
ｂ：３２．４Ａｌ−６７．２Ｃｕ−０．２１Ａｇ−０．２７Ｓｎ
ａ：３５．３Ａｌ−５６．４Ｃｕ−０．２１Ａｇ−４．４９Ｓｎ
γ２（ＡｌＣｕ２）相が存在（かなりのＳｎと若干のＡｇが固溶）
Ｓｎ−２．５３Ａｇ−０．３３Ｃｕ−０．４５Ａｌ
ａ：３８．６Ａｌ−５６．７Ｃｕ−０．２１Ａｇ−４．４９Ｓｎ
Ａｇ３Ｓｎ（○囲み）が大きくなっている。
ａ：３１．０（ａｔ％）Ａｌ−６８．１Ａｇ−０．９Ｓｎ
ｂ：４６．３Ａｌ−５３．５Ｃｕ−０．２Ｓｎ
ｃ：６６．７Ａｌ−５．９Ａｇ−２７．４Ｓｎ
Ｓｎ−３．１Ａｇ−０．４１Ｃｕ−０．１Ａｌ、１５０℃、５００ｈ
ａ：Ｃｕ−Ａｌの偏析
０．２５Ａｌと類似、Ｃｕ、Ａｌ偏析
ａ：１２．２Ａｌ−２６．８Ａｇ−６１．０Ｓｎ
ｂ：５．７２Ａｌ−０．５８Ｃｕ−６９．１Ａｇ−２４．６Ｓｎ
ｃ：２．２４Ａｌ−０．７６Ｃｕ−６４．４Ａｇ−３２．６Ｓｎ
Li
Ａｌ添加でＩＭＣ成長速度が遅くなる。
はんだバルクと界面付近にはＡｌ−Ｃｕ ＩＭＣが形成される。ＳｎＡｇ、ＳＡＣでははんだバルクにＡｇ−Ａｌ ＩＭＣが存在。
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