(11) はんだ相互接合界面

(11−1) Snと主な金属との界面反応

(11−1−1) はんだ接合の形式

 はんだ接合の実際の形式は
  界面にIMC層を形成する場合・・・多くの高融点金属
  マクロな溶解を伴う場合・・・Alなどの共晶形成低融点金属
  ミクロな拡散(?)・・・Crなど一部の高融点金属
 に分類できるだろう。

  (A) SnとIMCを形成する場合  

  (A−1)共晶

      固溶度小 (高Sn側共晶)
       溶解度大
         Au、Ag、Pd、Cu 
         Mg
       溶解度小
         Ni、Fe、Pt、Co
      固溶度大
         In

  (A−2) 包晶
      固溶度大
         Sb

  (B) SnとIMCを形成しない場合

  (B−1) 共晶   
       固溶度大 
           Al(常温付近ではゼロ)
           Bi 
           Zn
       固溶度小
           高融点金属
            Cr IMCを形成するともいわれる。
            Ti はんだ付け温度ではIMC形成しないといわれるが、するという説もある。
            W
         *実際は酸化防止のためAu、Cu等の保護層が必要で、そのため界面にはこれらのIMCが堆積することとなる。

*Sn以外の添加成分とIMCを形成 
       CuではZn、In、Al、Sbなど、NiではBi、Zn、In、Al、Sbなどで特にZn系が重要、
       ワイヤボンディングではAl系が重要。

(11−1−2) SnとCuの界面反応

 Sn-Cuの2元系状態図からするとSnとCuの界面にはSn|η(Cu6Sn5)|ε(Cu3Sn)|Cu

 実際のはんだでの

 Laurila
 Cuと液体Snの反応





 Gagliano
 Sn(融点232℃)とCuの275℃での反応







Tangら
 電解Sn|Cu対のアニール



 Sn/CuとSn/Au Aloke




(11−1−3) SnとNiの界面反応

 Sn-Niの2元系状態図ではSn|Ni3Sn4|Ni3Sn2|Ni3Sn|Ni
 また実際のはんだでは、Ni剥き出しはなく
  スパッタNi|Au
  電解Ni|Au 
  無電解Ni-P|Au
などの状態で保護層が形成される。

Laurila


 Sn/Ni MITA 東工大
 


Gorlich
 商業Ni板(99.9%)、粒径10−100μm
 250℃、RMAフラックス









(11−1−4) SnとAuの界面反応

Yamada
 Sn/Au/Sn 拡散接合




Oberndorff




Sn/Au


Sn/Au Aloke



(11−1−5) SnとAgの界面反応

Sn/Ag
 160−200℃ではSn/Ag3Sn/ζ/Ag
 拡散誘起再結晶 すずき

Sn/Ag Su



 SnとAg
 Sn側からεAg3Snとζ






(11−1−6) Sn/Pd、Sn−Pt

 SnとPd
 反応拡散





Sn-Pt

Yang




Ptは消費される量が少ないのに形成されるIMCは厚い、IMCのSn量が多い。

  Pt 王博士論文 Wang



(11−1−7) Sn−Co、Sn−Fe

Sn−Co

 Co Wang


 Zhu
 Sn/Co拡散対で673、773KではCoSn2、873KではCoSn


673Kで(a)30min、(b)40min、(c)24h


873Kで(a)2min、(b)30min

Sn−Fe


Yen


 Fe Protsenko
 

Sn/Fe




(11−1−8) Sn−Sb

 Sn−Sb

Oberndorff




(11−1−9) Sn−Al、Sn−Bi

 IMCを形成しない例としてSn−AlとSn−Biがある。

Sn/Al

 230℃


Yin Sn/Bi

Optical micrographs of a pure Sn sample held on a pure Bi substrate at 250 °C for 2 s. (a) Center of the drop; (b) contact line region.

(11−2) Al、Zn、In、Biの界面反応例

 Snの係わらない例、特にZnとInが重要。

(11−2−1) AuとAl、CuとAlの界面反応

 主にワイヤボンディングで関係する。

Au−Al
0.1mmAu






Xu Au−Alワイヤボンディング

 175℃、(a)0h、(b)5h

 175℃x5h




Funamizu




 最初Al2Cu、ついでAl4Cu9、更にAlCuかAl2Cu3(Record

ボール・ボンド
  




(11−2−2) Ni−Al

Conrad


Intermetallic compound growth in Al/Ni couples annealed for 336 h at 400°C:


(11−2−3) Znの界面反応

Zn/Ni、Bi/Ni
 Zn/Ni  150−200℃ β1−NiZn、γNi5Zn21、δNiZn8
 Bi/Ni  150−200℃ NiB3

中南大
 

(11−2−4) Inの界面反応

In/Ag Wang 
 電解めっき、常温保持。
 CuにAgを60μm、Inを5μm電解めっき。
 3週間後にはすべてのIn消費。


 10μmIn



In Liu 台湾 液体InとAg




Wahg
Cu上の60μmAgめっき、更にInめっき



In/Au
 AuIn2が最初、常温では最終相でもある。十分なAuがあるとAuInが形成される、156℃以上ではAuIn2が数秒で形成される。



In/Au
 




In Au Liu 液体In AuIn2



Sommadossi  Cu/In/Cu
 







In Ni Tseng 液体In
 Ni10In27  300℃以下
 Ni2In3

  

nとCuまたはNi Kim
 電解によるCu/AuとCu/Ni/Au、Auは0.4−0.5μm、ピーク470Kでリフロー。




In−Ni

(11−2−5) BiとNiの界面反応

 Oberndorff


Dybkov


Dybikov


Sn/FexNi
Ni
 95at< Ni3Sn4
 80−90 FeSn2,Ni3Sn4
 80> FeSn2
 40.8(42アロイ) FeSn2 2タイプ


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