（１５－５－７）　結晶方位

　　Ｓｎは異方性の大きい物質なので、Ｓｎ膜およびウィスカの結晶方位は重要視されている。

Ｓａｒｂｏｌ　２０１０

　Ｓｃｈｅｔｔｙ
　　ＭＳＡ型に対し、非ＭＳＡ（メタン・スルフォン酸）型Ｓｎめっきが乾燥５５℃、４－６５～１５０℃、室温放置でウィスカなし。
　　ＭＳＡ型はめっき後圧縮応力が認められ、エージングで上昇したが、非ＭＳＡは認められなかった。
　　違いは結晶方位、＜２２０＞結晶方位でウィスカ成長しない。

ＩＮＥＭＩ　Ｓｎウィスカ・プロジェクト概観　Ｈａｎｄｗｅｒｋｅｒ　２０１０

　フェーズ７　微細構造進化
　　目的
　　　Ｓｎ結晶配向の影響、ＥＢＳＤとＸ線回折で分析。
　　成長試験
　　　温度サイクル、保管試験（５０℃、５５ＲＨ％）

　課題
　　応力の役割　グローバルｖｓ局部応力
　　基本的成長機構
　　　　応力（過剰エネルギー）：必要だが十分ではない。
　　　　何がウィスカ核生成と成長機構か？
　　　　何か他の過程が関係あるか？
　　　　再結晶と成長の詳細過程は？
　　アセンブリ過程の影響
　　試験方法の改良（時間と費用削減）
　　より良い緩和方法

Lee

　圧縮応力が弾性歪により膜面に垂直に粒を搾り出す。

　ウィスカは結晶方位が膜の主要な結晶方位と異なる粒から成長。
　表面酸化膜が粒界に沿ってせん断される。
　せん断応力は異なる粒に発生した異なる歪から生じる。
　異なる歪はＳｎの弾性異方性により発生する。
　

Jadhav　２０１１
　

Sandia

ウィスカ
成長方向	親ウィスカ粒配向	膜組織texture	Reference
<100>,<101>,<001>			Treting et al,1957
<001>,<100>,<101>,<111>			Smith et al,1958
<100>,<001>,<101>,<123>,<111>			Ellis et al,1958
<111>,<101>,<211>			Powell et al,1963
<001>,<100>,<101>,<111>			Ellis,1966
<101>,<100>,<012>			Ellis.1967
<100>,<210>,<101>,<001>,<110>			Morris et al,1974
<100>	(220),(420),(620)：結晶学 (420),(501),(321)：成長角	(200):(0.5A/dm2) (220):(3.5A/dm2)	Lee et al,1998
<001>			Sheng et al,2002
<001>	<210>		Choi et al,2003
<110>,<103>,<321>			Lebret et al,2003 sputter
<001>,<100>,<101>,<111>,<123>			Hutchinson et al,2004
<110>,<111>,<100>			Frye et al,2007
<001>			Chiu et al,2009
<001>			Cheng et al,2010 hillock
キンク
ウィスカ成長方向	キンク角度	キンク結晶
	30,60（最頻）		Levy et al,1955
	90,28,61,41.48	<100>/<101> <001>/<101> <101>/<111> <100>/<111>	Baker,1957
	30,15,60		Furuta,1965
<012>,<101>,<100>	18.9,28.6	<012>/<101>/<100>	Ellis,1967
<110>,<103>	27,45	<100>/<110>(45°)	Lebret et al,2003 sputter