Ｓｎ膜厚みについては１−１０μｍがよりウィスカ成長しやすく、これより厚いか薄いとウィスカ成長しにくいという。
（P. Harris, International Tin Research ITPI Report No. 724, 1994.）
Ｃｈａｓｏｎら
ＳＥＭはめっき後２−３時間後エッチング
Ｊａｄｈａｖら
厚みと寸法
＊Chason の図参照
同じ粒寸法で異なる厚み
粒径約４μｍ、厚み８μｍから各々エッチングで
機械的性質
Ｓｎでの応力蓄積 膜厚効果
Ｄｉｔｔｅｓら
厚みの影響
3E
ＦＣＩ
１：Ｆｌａｔ、２：Ｂｅｎｔ、３：Ｔｉｐ、４：Ｓｃｒａｐｅｄ
| 効果 | 平均ウィスカ数 | 平均最大長 | ||
| 前処理 | 無 | ７．７ | ９．１ | |
| ＴＳ | ２７．４ | １３．９ | 前処理影響 | |
| エージング法 | ＤＨ | １１．３ | １．４ | 促進しない |
| ＨＨ | ２８．０ | ２８．８ | 一番影響 | |
| ＲＴ | １３．４ | ４．３ | 少し影響 | |
| めっき組成 | Ｓｎ | １０．２ | １３．６ | 発生数は少ないが長く成長 |
| ＳｎＰｂ | ４７．０ | ２．９ | 発生数多いが短い | |
| Ｎｉ厚み | １μｍ | １５．３ | １２．２ | 影響なし |
| ２μｍ | ２０．１ | １０．７ | ||
| Ｎｉ（２μｍ）有無 Ｓｎ（２μｍ） |
有 | ＴＳ＋ＤＨ ０ ＴＳ＋ＨＨ ０ ＴＳ＋ＲＴ ０ |
０ ０ ０ |
効果あり |
| 無 | ９５ ９２ １０５ |
１０−３２ １０−４１ １２−３４ |
||
| Ｓｎ厚み | ２μｍ | ９．８ | ８．６ | |
| ４μｍ | ２７．２ | １５．１ | 厚い方が長い |
めっき層のエッチング効果
Ｓｍｅｔａｎａ ２００６ ｉＮＥＭＩの高信頼性製品に使用される部品のＰｂフリー表面処理についての推奨
表面化学エッチング（Ｓｎめっき）
３〜４μｍのエッチングが効果ありという試験結果（試験が限られている）。
４帯域モデルでのＩＭＣ形成の谷と丘が垂直効果という理論が当てはまる。
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