Ｈｉｌｌｍａｎ ＡｇとＳ
ＭＦＧ：混合流動ガス
厚膜部品のＡｇの硫化
置換ＡｇめっきＰＣＢのクリープ腐食
ソルダ・マスクの影響
非ソルダ・マスク規定が硫化していない。
ＥＮＩＧとソルダ・マスク
ＭＦＧ試験条件（各種ガスの影響）
ＯＣＳ：硫化カルボニルがＨ２Ｓと同等の影響を与える。
Ｈｅｄｌｕｎｄ 硫黄の花
チップ部品の厚膜電極のＡｇ露出によるＡｇ硫化
ASHRAE
Ｓ含有ガスによるＡｇの硫化銀の花
石川 １
石川 ３
石川 ４
＊銀硫化物から成長する銀ウィスカ
Ｃｈｕｄｎｏｖｓｋｙ
Ｈ２Ｓ、ＯＣＳ、ＣＳ２、ＳＯ２のような硫黄性ガスが大気中にあると硫化銀を主成分とする銀腐食物が生成する。
十分に厚いＡｇ２Ｓ層の存在と高い温度（１４０℃以上）で銀ウィスカが成長する。（銅の上のＡｇめっき）
外観
形態と化学組成
銀光沢のウィスカは９４〜９９．４％の銀よりなる。あるものは４．５％までの銅を含む。
黄色い光沢のウィスカは７〜３３％の高濃度の銅を含む。
銀光沢の１本のウィスカの長さ方向の１−２ｍｍ毎の組成例は安定で銀は９７．３〜９９．４％で銅と硫黄は〜１．４％。
ウィスカ表面の硫黄量は〜９％。
暗いウィスカは表面で金属光沢のウィスカより多くの硫黄を含む。
腐食物の表面から集めたフレークは銀、銅、硫黄を含み銀と銅の硫化物に対応。
＊硫化銀ウィスカ
春日部
今まで提案されたウィスカ成長機構
（１） ラセン転位機構
ラセン転位を含む小さな結晶からラセン状の階段の回転に伴ってウィスカ状に成長。
（２） Ｆｒａｎｋ−Ｒｅａｄ源の上昇機構
転位が２つの極のまわりを回転しながら単原子層の円板をつぎつぎに生み出し表面に出て成長。
（３） ＶＬＳ成長機構
低融点の共晶合金が液滴となり優先的に捕らえられた原子が合金の液滴中を拡散して下地結晶
との境界面に析出し液滴を先端にのせたまま成長。
（４） コッセル機構
完全結晶面である側面の２次元核形成の頻度が極度に小さく側面に吸着された原子の表面拡散により
先端へ原子が供給されウィスカが成長。
（５） 不純物効果
不純物により結晶の先端の成長が促進あるいは側面の成長が抑制されてウィスカが成長。
硫黄雰囲気中での銀表面へのウィスカ成長
結晶構造は成長方向が〔１００〕方位で面が（００１）のβＡｇ２Ｓのアカンタイト単斜晶形の単結晶。
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