Ｓｎ−Ｐｂに代わる合金めっきはＳｎ−Ｂｉを主にＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕなどが提案された。
Ｓｎ−Ｂｉ系ははＢｉ量が多くなると脆くなるため、Ｂｉ＜３％とされる。
Ｓｎ−Ａｇはめっきが難しいとされる。
Ｓｎ−Ｃｕはウイスカについて効果があるという場合と逆に悪化させるという意見がある。
耐ウイスカ性でＳｎ−Ｐｂに匹敵するものはないようである。
Ａｔｏｔｅｃｈ
合金めっきの難易度
ＳｎとＰｂの電気化学電位は近いが、Ｂｉ、Ｃｕ及び特にＡｇは高く、Ｓｎと差が大きい。
Henshall
基板：ＯＳＰ
ＭＱＦＰ２０８：Ｃ７０２７
ＳＡＣ３８７
部品めっき：マットＳｎ、Ｓｎ−３Ｂｉ、Ｓｎ−３Ｃｕ
シャープ
ＳＯＰ４４
フジクラ ２００２
Ｓｎ−Ａｇはめっき作業性に問題
古河
タフピッチ銅
エージング：１５５℃ｘ１６ｈ （固相でのＩＭＣ成長）
Ｓｎ−Ｂｉの特許問題 詳しくは→特許問題
日立から下川 英恵氏らの名で特許が成立している。（特許３５５１１６７など）
しかしこれは特開平１０−９３００４により奇妙な修正がされたものである。
Ｓｎ−Ｂｉは加工性（脆くなる）の点からＢｉ＜３％とされた。この点にふれられているならまだしもこれに
一切ふれたものでないのにどうしてこのような特許が成立したのであろうか。
（１４−１−４） 溶融はんだめっき（はんだディップ）
主にディップ（はんだ浴槽への浸漬）によるはんだコーティング。
挿入部品で多く見られる。
Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕなどが利用される。
Ｃｕ食われが問題となる。
またＳｎとＣｕの反応によるＩＭＣ形成進行でＳｎ層消失の可能性もある。
めっきに対し、工程に伴う応力発生・蓄積が小さいためウィスカ危険性で有利とされる。
富士電機
日本フィラーメタル
（１４−１−５） Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ
Ｎｉ／Ａｕ系はウイスカ問題がないがコストとＡｕによる問題、無電解ではＰにより生じる脆性的性質が問題とされる。
ＮｉはＩＭＣ層形成から通常厚みは２μｍ以上とされる。
ＮｉはＳｎとＣｕと異なる反応、ＩＭＣ層形成するので注意が必要である。
またＮｉは上に保護層としてＡｕを形成するがこのＡｕ層が厚くなるとＡｕのＩＭＣ形成による問題を生じる場合がある。
これらについては以下を参照。
ＮｉとＡｕめっきには電解法と無電解法（あるいは置換法）があり更に中間にＰｄを介在させるものがありその組み合わせは
種々あるが主流は無電解Ｎｉ（Ｐ）／置換Ａｕである。
無電解Ｎｉ（Ｐ）／置換Ａｕではブラック・パッドという現象が起きることがありこの対策として無電解Ｐｄを挟むものがある。
無電界ＮｉにはＰを含有するもののほかにＢを含有するものがあるが、コストからＢを含有するものは通常使用されない。
保護層のＡｕ層は電解Ａｕが置換Ａｕより一般的に厚い。
詳しくは （１４−２−４） Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき を参照。
（１４−１−６） Ｐｄめっき
鈴木
基材：Ｃ５２１０
＊Ｎｉめっきは１０秒でもぬれない。
（１４−１−７） 諸めっきの比較
なお （１４−２−５） 回路基板の諸表面処理の比較 も参照。
ＮＥＣ ルネサス
富士通テン
Ｂｉ＞２％、Ｓｎ−Ｐｂはフローでリフトオフ。
Ｐｄ＞０．１μｍは接合界面にＰｄが残り温度サイクルでＰｄＳｎ４として成長し亀裂原因となる。
小谷野
Ｎａｋａｄａｉｒａ
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