無電解Ｎｉ−Ｐの界面反応層
Ｎｉ基体として実際に利用されるは無電解Ｎｉ（Ｐ）／Ａｕ、電解Ｎｉ／Ａｕ、スパッタＮｉ／ＡｕなどでいずれもＮｉの上に
酸化に対する保護層としてＡｕが形成される。
特によく利用される無電解Ｎｉ（Ｐ）／ＡｕはＮｉにＰが含まれるためにはんだと複雑な反応をする。
Ｃｕを含有しないはんだではまずＮｉ３Ｓｎ４が形成されるが、これによりＮｉ（Ｐ）層のＮｉ消費によりＰリッチ層が形成され
はんだ｜Ｎｉ３Ｓｎ４｜Ｎｉ３Ｐ（Ｐリッチ層）｜Ｎｉ（Ｐ）
のような構造となるが、Ｐリッチ層の構造は複雑である。
ＬｉｕらのＳｎＰｂ
Ｍａｔｓｕｋｉ
Ｌａｕｒｉｌａ
Vuorinen
Ｃｕを含有したはんだでは
はんだ｜（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５｜ＮｉＳｎＰ｜Ｎｉ３Ｐ｜Ｎｉ（Ｐ）
が形成される。
ＩＭＣは（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５と考えられる。（Ｃｕは４０原子％、（Ｎｉ，Ｃｕ）３Ｓｎ４へのＣｕの固溶量はそれほど多くない）
（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５中に（Ｎｉ，Ｃｕ）３Ｓｎ４が析出
ＩＭＣとＮｉ（Ｐ）の間に２層存在。Ｎｉ（Ｐ）側はＮｉ３Ｐ（黒い層）。
その上の暗い部分のＰリッチ層はＳｎ−Ｎｉ−Ｐよりなる層。
各種 Ｓｈａｏ ＵＢＭ Ｃｒ−Ｃｕ、Ｎｉ／Ｐ ＳｎＰｂ、ＳｎＡｇ、ＳｎＳｂ、ＳＡＣ、
Kim Sungkyunkwan
SAC305と無電解Ni/Au（０．１５μｍ）、Ni-PのPは１５原子％。
Ｓｈａｒｉｆ Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ
ＳＡＣ３５５、Ｓｎ−３．５Ａｇ、φ０．７６ｍｍ、Ｃｕ／Ｎｉ（Ｐ）／Ａｕ
Ｓｏｈｎ
ＳＡＣ３０５では（Ｎｉ，Ｃｕ）３Ｓｎ４とあるいはまたは（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５が形成され剥離あるいは界面破壊は起きない。
Ｓｎ−３．５ＡｇではＮｉ３Ｓｎ４が形成され、この剥離でＮｉ３ＳｎＰが厚くなりここを経由して脆性破壊が起きるのでＩＭＣ剥離の制御が重要。
Ｋａｎｇ
Ｓｎ−３．５Ａｇ無電解とＮｉ／０．１５μｍＡｕ
ＰリッチＮｉ層およびこれとＮｉ３Ｓｎ４層の間のＮｉ−Ｓｎ−Ｐ ＩＭＣについて
Ｊｅｏｎ ＫＡＩＳＴ
Ｓｎ−３．５Ａｇ、ＳＡＣ４０５、Ｓｎ０．７Ｃｕと無電解Ｎｉ（１１−１３at%）／０．０８μｍＡｕ
ＳｎＡｇでＮｉ３Ｓｎ４の剥離、脆性破壊の原因
Ｊｅｏｎ
無電解Ｎｉ（１１−１３ａｔ％Ｐ）／０．０８μｍＡｕ、ＳＡＣ４０５
Ｎｉ−ＰへのＮｉ含有はんだ Ｓａｌｉｚａ
ＳＡＣ３０５＋０．０５Ｎｉ、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ
Ｎｉ含有はんだがＩＭＣ成長速く、先にＩＭＣ剥離が生じる。
Kumar
Ｓｎ−３．５ＡｇをＣｕ／無電解Ｎｉ−Ｐ／０．０５Ａｕサンドイッチ
Ｎｉ−Ｐ厚み：３．５、７．３、９．９、Ｐは１６ａｔ％、２５０℃、６０秒リフロー。
Ｎｉ−Ｐが薄いと、Ｎｉ−ＰがＮｉ３Ｐとなり下地のＣｕ拡散でＮｉがＣｕで置換され（Ｎｉ，Ｃｕ）３Ｓｎ４となる
Kumar
Cu上の無電解Ni/AuをSn-3.5Agで、２５０℃、６０秒
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