Ｔｓａｉ
ＳＡＣ３５５
ＰｄをいれることでＩＭＣの形態変化、針状から層状へ。
Ｐが多いほうがＮｉ３Ｐが厚い、
Ｐｄ濃度が低いのでＰｄＳｎ４は形成されない。
Ｃｕを置換し(Cu,Ni.Pd)6Sn5
Peng
Ｓｎ３７Ｐｂ、ＳＡＣ３０５
無電解Ｎｉ（６−８Ｐ）／０．２μｍＰｄ（２−５Ｐ）／０．１μｍＡｕ
ＳｎＰｂでは最初形成された（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４ははんだ付け時間が長くなると剥離し、Ｎｉ３Ｓｎ４とＮｉ３Ｐ
が形成される。Ｎｉ３Ｓｎは散らばって存在。
ＳＡＣ３０５では（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４はすぐに剥離し、帆立貝殻状（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５が形成される。
日立化成
Ｎｉ厚みの影響 電解と無電解
電解Niより無電解Ni-Pは反応しにくい
以下Ni-P/Pd/Auになっている。 Ｎｉ−Ｐの厚みの影響
N-Pが消費され２層構造で層間にボイドが生じ、弱接合となる。
日立化成 ３種
Ni-P/Auの白色部はP濃縮
日立化成
無電解Ｎｉ−Ｐ／Ａｕ、電解Ｎｉ／Ａｕ、無電解Ｎｉ−Ｐ／Ｐｄ／Ａｕ
日立化成
電解Ｎｉ／Ａｕと無電解Ｎｉ−Ｐ／Ｐｄ／Ａｕ
せん断速度
リフロー回数
エージング時間
Ｓｈｉｎ Ｐｄ Ｖｏｉｄ
Ｓｎ−１．２Ａｇ−０．５Ｃｕ−Ｎｉ（ＬＦ３５）
ｐｒｅｃｏｎ：８５℃、８５％ＲＨ、３ｈ＋リフロー３回、ＴＣ：−５５〜１２５℃、１５分
Ｒｏｂｅｒｔｓ
ＳＡＣ４０５
ＮｉＰｄの方が（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５薄い。
→ghosh
Ｈａ ＥＮＥＰＩＧ
ＳＡＣ３０５、０．４５ｍｍφ、ＳＭＤ（はんだマスク規制）
ＥＮＩＧ：Ｎｉ／０．０５μｍＡｕ
ＥＮＥＰＩＧ
模式図ｄ：ＥＮＩＧ、ｈ：ＥＮＥＰＩＧ
Ｏｄａ
長時間エージングでＣｕ含有はんだでは（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５にＰｄが固溶するがＣｕを含まないはんだでは
（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４がＮｉ３Ｓｎ４上に形成。
＊Ｐｄのはんだへの溶解の影響
Ｓｎ−Ｐｄ 元智大
２５０℃での反応、電解Ｎｉ
Ｐｄ濃度増により（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４のＮｉ３Ｓｎ４への再堆積が見られる。
Ｐｄ≧０．２で（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４連続層化し（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４／Ｎｉ３Ｓｎ４の２層。
Ｈｏ 元智大
Ｓｎ−ｘＰｄ、（ｘ＝０．０５−１．０ｗｔ％）とＮｉ
Ｓｎ−０．０５Ｐｄ Ｓｎ−０．２Ｐｄ
低Ｐｄ（０．０５ｗｔ％）ではNi3Sn4だけ、高Ｐｄ（０．２ｗｔ％以上）では(Pd,Ni)Sn4−Ｎｉ３Ｓｎ４の２層で
不連続な(Pd,Ni)Sn4がＮｉ３Ｓｎ４の上の散在。時間とともに(Pd,Ni)Sn4は溶融はんだに散らばっていく。
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