（１１－５）　Ｎｉ合金基体

　ある程度のはんだとの反応性（＝濡れ性と接合性）を保持しつつできるだけ反応の小さい（ＩＭＣ成長の遅い）電極材料が接合界面の
強度、信頼性上望ましいと思われる。
　単体ではＰｔ、Ｎｉなどが限界であり、これ以上の改善には合金化が考えられる。
　それにはＮｉのような比較的反応性（及びＳｎへの溶解）の小さい金属を、Ｓｎと反応しにくい、高融点金属と合金化することが考えられる。
　ただしＣｕ含有はんだではＣｕ６Ｓｎ５が形成されるかどうかも問題である、Ｆｅ－Ｎｉ合金ではＣｕ６Ｓｎ５は形成されないとされる。

＊特許３６８２７５８（特開２０００－１９５８８５）：富士通ではＮｉ－Ｃｒ、Ｎｉ－Ｗ、Ｎｉ－Ｍｏが請求されている。

（１１－５－１）　高融点金属との合金基体

（Ａ）　Ni－V

　Ｎｉ－Ｖ合金はＵＢＭ用としてスッパッタで製作される。
　ＮｉとＶはいずれもＳｎとＩＭＣを形成する。

Chen
Ｓｎ－０．７ＣｕとＮｉ－７Ｖの固相反応
　１６０℃、１８０℃、２１０℃ではＣｕ６Ｓｎ５だけ。
　２１０℃ではＣｕ６Ｓｎ５、Ｎｉ３Ｓｎ４のほかに４元系Ｑ相形成、Ｑ相はＮ３Ｓｎ４のナノ結晶と
　アモルファス相の混合物。２１０℃で更にエージングするとＱは直接はんだに接触するようになり、すでにあるＱ内にＮｉ３Ｓｎ４が核生成し、
Ｎｉ－Ｖ／Ｑ／Ｎｉ３Ｓｎ４／Ｑ／Ｎｉ３Ｓｎ４／Ｃｕ６Ｓｎ／Ｓｎ－Ｃｕとなる。

Ｃｈｅｎ
　　

　　Ｓｎ、Ｓｎ－Ａｇ
　　２５０℃、１２ｈ
　　Ｖ＞５％以上でＮｉ３Ｓｎ４のほかに３元系相Ｔが生じる。
　　Ｌ／Ｎｉ３Ｓｎ４／Ｔ／Ｎｉ－Ｖ
　　
Ｃｈｅｎ
　

時間間違いか？

　Ｔ／Ｎｉ３Ｓｎ４／Ｔ／Ｎｉ３Ｓｎ４

固体アモルファス化反応

Ｃｈｅｎ

Ｓｎ－ｐａｔｃｈ
　Ｎｉ（Ｖ）を基礎とするＵＢＭでのＮｉ（Ｖ）層でのＳｎリッチ領域
　Ｃｕ６Ｓｎ５の粒界付近の拡散の速い場所に形成。
　Ｎｉがはんだ中へ、はんだのＳｎがＮｉ（Ｖ）へ拡散し、
リフローで結晶質ＮｉとアモルファスＳｎリッチ相が形成され、熱エージングで
アモルファスなＳｎリッチ相とＶ２Ｓｎ３相となる。Ｓｎパッチ領域はやがてＮｉ層全体に
拡大していく。

　