（１１－４－６）　Ａｕ厚みの影響

Ｎｉ／ＡｕでのＡｕ厚みは様々である。

大和電機
　　無電解でのフラッシュ　０．０３－０．０５μｍ　　　　表面実装
　　無電解での厚付け　　０．１～０．５（max１．０）　　Ａｕ／Ａｕ接合（ワイヤボンディング）、セラミック

　　電解　　　　　　　　　　　０．１～１．０　　　　　　　　　Ａｕ／Ａｕ接合（ワイヤボンディング）、セラミック

　大阪大平森
　　無電解Ｎｉ－１０Ｐ／ＡｕでＡｕは５０、２５０、５００ｎｍではんだはＳｎ－３．５ＡｇとＳｎ－３．５Ａｇ－０．７５Ｃｕのはんだボール。
　　５１３Ｋピークで６０秒のリフロー条件。
　　Ｓｎ－ＡｇではＡｕコート無とＡｕが５０ｎｍでは界面にＮｉ３Ｓｎ４形成。
　　Ａｕが２５０ｎｍと５００ｎｍでは明瞭なＮｉ３Ｓｎ４が界面には見られない。
　　ＡＥＳでは不連続なＮｉ３Ｓｎ４が見られる。薄いＮｉ－Ｓｎ－Ｐの連続層が形成されている。
　　またＳｎ－ＡｇではＡｕにかかわらずＰリッチ層が存在。（Ｎｉ－Ｐ／Ｐリッチ層／Ｎｉ－Ｓｎ－Ｐ／はんだの構造）
　　Ｎｉ－Ｓｎ－Ｐにはマイクロ・ボイドが存在。
　　Ｓｎ－Ａｇ－ＣｕではＡｕにかかわらず（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５が形成され、Ａｕコート無とＡｕが５０ｎｍではＰリッチ層は観察されない。
　　Ａｕが２５０ｎｍと５００ｎｍではＰリッチ層が存在。

　エージング（４２３Ｋ、１．８ｘ１０^６秒）でＳｎ－ＡｇではＰリッチ層とＮｉ３Ｓｎ４が成長。
　Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕでは（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５が成長し、Ｐリッチ層は変化なし。

　冷間押し試験ではＳｎ－ＡｇはＰリッチ層が露出（Ｐリッチ層とＮｉ－Ｓｎ－Ｐの間で破壊）、エージング後のものはしばしばＮｉ３Ｓｎ４が見られる。
　（Ｎｉ３Ｓｎ４とはんだに間で破壊）
　Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕでは破壊面はＮｉ－Ｐめっき層に位置し（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５が一部見られる。
　エージング後はＮｉ－Ｐめっき層と（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５の両方の間。
　熱間押しでは表の通り。（図は模式状態）

Ｋｉｍ　ＳｎＣｕ　無電解Ｎｉ／０．１５Ａｕ

　Ｗａｎｇ　
　　ＳｎＣｕ　Ｎｉ－Ｐ（１０ｗｔ％Ｐ）／０．０６Ａｕ
　　２５０℃、３０ｓ、１、５、１０、２０ｍｉｎ
　Ｓｎ／Ｎｉ（Ｐ）に比べＳｎ（Ｃｕ）／Ｎｉ（Ｐ）でのＮｉ３Ｐの形成はＣｕ－Ｓｎ　ＩＭＣ形成による制約を受ける。
　Ｃｕの効果

（ａ）３０ｓ（ｂ）１ｍｉｎ、（ｃ）５ｍｉｎ、（ｄ）１０ｍｉｎ、（ｆ）２０ｍｉｎ

　ＩＭＣ剥離
　　内部応力、界面の不純物、不濡れ（弾き）・・・
　　楔モデル
　　　　柱状Ｎｉ－Ｓｎ　ＩＭＣ粒のため溶融はんだが柱状Ｎｉ－Ｓｎ　ＩＭＣ粒の谷間のＮｉ－Ｓｎ／Ｎｉ３Ｐ界面に接触することで
　　　Ｎｉ－Ｓｎ／Ｎｉ３Ｐ界面の端からＮｉ－Ｓｎ－Ｐ相を形成する。
　　　　角のＮｉ－Ｓｎ－Ｐの成長が速いのでＮｉ－Ｓｎ／Ｎｉ３Ｐ界面に沿って脆性破壊する。

その２
　固相反応でのＣｕ効果
　強度へのリフローの影響

　強度へのエージングの影響

　純Ｓｎ、１５０℃

　Ｓｎ０．７Ｃｕ、１５０℃
　エージングで界面ＩＭＣが層状化、（Ｎｉ，Ｃｕ）３Ｓｎ４と（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５の混合

Ｓｎ０．７Ｃｕ、２００℃、１００ｈ

　Ｓｎ３．０Ｃｕ、１５０℃
　厚いＣｕ－Ｓｎ　ＩＭＣが形成され、安定で成長しない。

　界面構造と強度の関係

　　　リフロー後　　　　　　　　　　エージング後
　純Ｓｎではリフローが長いとＮｉ３Ｐ／Ｃｕ界面にボイド生成し弱くなるがエージングではボイド生成しない。
　Ｓｎ０．７Ｃｕでは界面はＣｕ－ＳｎとＮｉ－Ｓｎの混合で強く、安定。
　Ｓｎ３．０ＣｕではエージングでＮｉ３Ｐが確認されない、なぜＣｕ－Ｓｎ／Ｎｉ（Ｐ）界面が劣化するかは不明。

Ｓｈａｒｉｆ
　ＳＡＣ３５５、Ｓｎ－３．５Ａｇ、Ｓｎ－０．７Ｃｕ、無電解Ni/０．５μｍAu