（６−３） Ｓｎ−Ｉｎ系
ＳｎＩｎ
FinkらによるとＩｎはＳｎに１．５％固溶、一方ＳｎはＩｎに１０％固溶しうるという。
（６−３−１） 金属Inの特徴
Ｉｎは軟らかい
偏析による低融点相形成、熱サイクルと偏析、相変態、収縮
ＩｎはＡｕとＡｕＩｎ２の連続層を形成するためＩｎを含有するはんだはＡｕを溶解しにくいため、
Ａｕコート部品にＩｎ含有はんだが推奨される。（荘司ら）
ボンディング
In7Ni3
非金属への
台湾大Liu 液体ＩｎとＡｕ
３００℃、５分
Kim InとCu、Ni
d couple
Ｃｈａｎｇ
バルク・インジウム
（６−３−２） Sn-In系の組織と特性
北大
中国 Ｓｎ−２５Ｉｎ
β相領域
（β＋γ）組織をを（液相＋γ）温度でアニール
Ｓｎ−５２Ｉｎ
台湾
Ｃｕとの界面には低温ではＣｕ２Ｉｎ３Ｓｎ／Ｃｕ２（Ｓｎ，Ｉｎ）またはＣｕ１７Ｓｎ９Ｉｎ２４／Ｃｕ２６Ｓｎ１３Ｉｎ８の２層で
高温ではＣｕ３（Ｉｎ，Ｓｎ）とＣｕ６（ｉｎ，Ｓｎ）の２層という。
Ｄａｇｈｆａｌ
Ｃｕとの界面
Ｃｕ側から２４．４Ｉｎ−２７．９Ｓｎ−４７．７Ｃｕ、５１．８Ｉｎ−２０．０Ｉｎ−２８．２Ｃｕの２層。
Ｃｕ／共晶Ｓｎ−Ｉｎ／Ｃｕ
テセラのグループによると
韓国弘益大のChoiら４８Ｓｎ−５２ＩｎバンプとＴｉ（０．１μｍ）／Ｃｕ（１．５μｍ）／Ａｕ（０．１μｍ）のＵＢＭの１５０℃、１分のリフロー
による接合ではＣｕ層はほとんどＩＭＣ化するという。
Morris
表面処理 →Indium
（６−３−３） Ｓｎ−Ｉｎ−Ｘ（Ａｇ、Ｃｕ）
→Sn-In-Ag
Ｓｎ−１０．０Ｉｎ−３．１Ａｇ、Ｓｎ−２０Ｉｎ−２．８Ａｇ（１１８℃問題） Ｉｎｄａｌｌｏｙ
台湾
Ｓｎ−２０ｉｎ−０．８ＣｕとＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕパッド
Ｃｕ６（Ｓｎ，Ｉｎ）５
Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ
Ｃｕ（スパッタ０．２μｍ）／Ｃｕ（電解５μｍ）／Ｓｎ−Ａｇ（電解４０μｍ）／Ｉｎ（電解５μｍ）
Ｎ２で２６０℃、３０分でリフローしバンプ化
Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ ２
中国科学院の王らによると
スパッタＴｉＷ（０．０５）／Ｃｕ（０．２）→電解Ｃｕ（５）、Ｓｎ−Ａｇ（４０）、Ｉｎ（４−５）
リフローは２６０℃、３０分
ＩＭＣ３：Ａｇ２Ｉｎ ＩＭＣ２：Ｃｕ６（Ｓｎ，Ｉｎ）５ ＩＭＣ１：Ｃｕ３（Ｓｎ，Ｉｎ）
Sn-20In-2.8AgとＣｕ／Ａｇ置換（０．２）
Ｓｎ−２０Ｉｎ−２Ａｇ−０．５Ｃｕ
電解Ｎｉ（１０）／Ａｕ（０．７）
Ｓｎ−２０Ｉｎ−２Ａｇ−０．５Ｃｕで液相線と固相線が１６６−１７９℃
クリープ Ｈｕａ プレゼン
Ｙｅh
Ｓｏｎｇ
ｍｐ：Ｓｎ−１０Ｉｎ−３．１Ａｇ ２０１−２０４℃
Ｓｎ−Ｉｎ−Ｃｕ
Φ０．４ｍｍのボールＳｎ−２０Ｉｎ−０．８Ｃｕと電解Ｎｉ（５）／Ａｕ（０．５）
界面のＩＭ１ＰはＣｕ６（Ｓｎ，Ｉｎ）５＋Ｎｉ３（Ｓｎ，Ｉｎ）４でバルクのＩＭ２ＰはＡｕＳｎ２を置換した（Ａｕ，Ｃｕ）（Ｉｎ，Ｓｎ）２であるとする
Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｃｕ
Ｓｎ−低Ｉｎ＋Ｘ
北大
（６−３−４） Ｓｎ−Ｉｎ−Ａｕ
（６−３−５） Ｓｎ−Ｘ−Ｙ（Ｘ，Ｙ＝Ｂｉ、Ｚｎ、Ｉｎ）
東北大・大沼らの
ルーベン・カトリック大のグループに
Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ
koko
ポーランド
Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ
中国
Ｓｎ−８Ｚｎ−２０Ｉｎ
また
これ
McCormack
Sn-9Zn-5In188
Ｓｎ−Ｉｎ−Ｂｉ
Ｓｎ−５４Ｂｉ−９Ｉｎ
Ｓｎ−５４Ｂｉ−９Ｉｎ
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