（５−３−１） Ｓｎ−Ａｕ系
Ｓｎ−Ａｕ系でＳｎ−３８Ｐｂ代替としては融点２１７℃のＳｎ−１０Ａｕが考えられるが、δ（ＳｎＡｕ）、ε（Ｓｎ２Ａｕ）、
η（Ｓｎ４Ａｕ）などが存在し得、巨大な初晶ＩＭＣが生成するのでこの抑制が必要である。
Ｎｉ添加などが効果あると思われる。Ｎｉ添加で（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４等が形成されると思われる。
ただし価格的に不利なので、特別の利点がないと利用されないだろう。
（５−３−２） Ｓｎ−Ａｌ
Sn-Al Choi
Ｓｎ−０．６Ａｌ ２２８℃
Ａｌａｍ
北大
Li
Ａｌ添加でＩＭＣ成長速度が遅くなる。
はんだバルクと界面付近にはＡｌ−Ｃｕ ＩＭＣが形成される。ＳｎＡｇ、ＳＡＣでははんだバルクにＡｇ−Ａｌ ＩＭＣが存在。
（５−３−３） Ｓｎ−Ｍｇ
Ｓｎ−Ｍｇ
濃い色の析出相はＭｇ２Ｓｎ
（５−３−４） Ｓｎ−Ｎｉ
共晶はＳｎ−０．１６Ｎｉで２３１℃という。
Belyakov
Typical optical micrographs of CP as-cast (A): Sn-0.08Ni, (B) Sn-0.16Ni, (C): Sn-0.37Ni.
Representative NiSn4 (A, B) and Ni3Sn4 (D, E) crystals solidified in CP Sn-0.37Ni at 0.5 K/s followed by selective etching of the Sn;
(C, F) schematic of the typical crystal habits.
SE-SEM images of unidirectionally solidified Sn-NiSn4 eutectic in CP Sn-0.13Ni (A,B) transverse section;
(C) longitudinal section and (D,E) deep etched longitudinal sections. Growth directions are indicated in the left bottom corner.
Comparison of ledge morphology on NiSn4 and Ni3Sn4 facets. (A)-(C): ledges growing on the (001) facet of NiSn4 :
(A) near planar at 0.21 K/s, (B) cellular at 2.62 K/s and (C) dendritic ledge growth at 115 K/s;
(D), (E): ledges growing on (100) facets of Ni3Sn4 : (A) 0.02 K/s (B) 0.5 K/s. Note the changes in scale.
(A) Sn-rich corner of the Sn-Ni equilibrium phase diagram plotted using data from ref [18],
showing the heat treatment temperatures and compositions used; (B)-(E): optical micrographs of Sn-0.37Ni
before (B)-(D) and after (C)-(E) 5 h treatment at 220 °C;
(F): settled layer of Ni3Sn4 in quenched liquid in Sn-0.37Ni held at 237 °C for 18 h.
Influence of cooling rate on primary intermetallic growth morphology. NiSn4 (A, B) and Ni3Sn4 (C,D). Note the changes in scale.
Ｂｅｌａｙｋｏｖ
０．０１Ａｕ、１６原子％Ｐ
２５３℃ピーク
Ｅｌ−Ｄａｌｙ
＊Ｓｎ−Ｃｏ−Ｎｉ系
台湾精華大のグループがＳｎ−Ｃｏ−Ｎｉ系の研究を行っている。
２５０℃等温断面
（５−３−５） Ｓｎ−Ｐｄ
Ｓｎ−Ｐｄ 元智大
２５０℃での反応、電解Ｎｉ
Ｐｄ濃度増により（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４のＮｉ３Ｓｎ４への再堆積が見られる。
Ｐｄ≧０．２で（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４連続層化し（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４／Ｎｉ３Ｓｎ４の２層。
Ｈｏ 元智大
Ｓｎ−ｘＰｄ、（ｘ＝０．０５−１．０ｗｔ％）とＮｉ
Ｓｎ−０．０５Ｐｄ Ｓｎ−０．２Ｐｄ
低Ｐｄ（０．０５ｗｔ％）ではNi3Sn4だけ、高Ｐｄ（０．２ｗｔ％以上）では(Pd,Ni)Sn4−Ｎｉ３Ｓｎ４の２層で
不連続な(Pd,Ni)Sn4がＮｉ３Ｓｎ４の上の散在。時間とともに(Pd,Ni)Sn4は溶融はんだに散らばっていく
（５−３−６） Ｓｎ−Ｃｏ
Ｗａｎｇ
BEI micrographs of the Sn-5at%Co alloy equilibrated at (a) 325 °C and (b) 330 °C for one month.
SEI micrographs of the deep-etched Sn/Co couples showing the reaction phase microstructure: (a) CoSn2 and (b) CoSn3,
reacted at 340 °C and 320 °C, respectively. (c) X-ray diffractograms of the corresponding reaction products, CoSn2 and CoSn3.
BEI micrographs of the Sn/Co interfacial reactions annealed for 2 h at (a) 320 °C, (b) 340 °C and (c) 327 °C.
BEI micrographs of the Sn/Co interfacial reactions at 250 °C for various durations. (a) 30 min and (b) 1 h.
BEI micrographs of the Sn-Co alloy equilibrated
Ｃｈｅｎ
ＣｏのＳｎへの溶解量は２４０℃で０．０４ｗｔ％。
Ｓｎ−Ｃｏ／Ｎｉの２５０℃での反応。
０．０１ＣｏではＮｉ３Ｓｎ４だけが界面に形成、０．０１ｗｔ％以上で連続Ｎｉ３Ｓｎ４と不連続（Ｎｉ，Ｃｏ）Ｓｎ４が生成。
（ａ）Ｓｎ−０．４ｗｔ％、（ｂ）拡大図 暗い相はＣｏＳｎ３、（ｃ）Ｓｎ−０．３ｗｔ％、（ｄ）Ｓｎ−０．２ｗｔ％
（ｅ）Ｓｎ−０．１ｗｔ％、（ｆ）Ｓｎ−０．０８ｗｔ％、（ｇ）Ｓｎ−０．０６ｗｔ％、すべて、２５０℃、３０日
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