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ＵＢＭ（スパッタ）：ＴｉＷ（１６５０Å）／Ｎｉ（６μｍ）／Ｃｕ（２μｍ）
カソード：無電界Ｎｉ（Ｐ）（１４μｍ）／スパッタＡｕ（５００Å）、無電界Ｎｉ（Ｐ）（１４μｍ）／スパッタＣｕ（２μｍ）、電解Ｃｕ（１４μｍ）
電子流は上から下。
Ｓｎ−ＣｕはんだではめっきＣｕは完全に消費。Ｓｎ−Ａｇはんだでは消費は少し遅い。
Ｎｉ上のＣｕは（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５を形成しＮｉを保護する。
表面処理の順位はＮｉ（Ｐ）／Ｃｕ＞Ｎｉ（Ｐ）／Ａｕ＞Ｃｕ
界面のボイド形成
めっきＣｕではＣｕは完全に消費され、Ｓｎは下地Ｃｕに浸透しＣｕ６Ｓｎ５はＣｕ／はんだ界面から一掃。
Ｎｉ（Ｐ）／Ａｕでは下地Ｃｕはほとんど影響されない。ＩＭＣはＮｉ／はんだ界面から一掃されはんだがＮｉ層に浸透、
はんだと残存Ｎｉ層の間に薄い隙間形成。更にＮｉ−Ｃｕ界面にボイド形成。
はんだ−Ｎｉ界面の空洞はめっきＣｕと類似。（？）
Ｎｉ（Ｐ）／ＣｕとＳｎ−ＡｇではＮｉとＣｕ６Ｓｎ５層は依然そのままで界面ＩＭＣ／はんだ界面にボイド形成。
２つの主要な粒が存在する場合
カソード界面の様子
右はＮｉバリア層はそのまま。に濃度はＰより高く、Ｓｎは検出されず。隣のＩＭＣはＮｉ３Ｓｎ４。
ボイドはＩＭＣ／はんだ界面に形成。
→Ｓｎの自己拡散による破壊モード
左は界面ＩＭＣ一掃、ＳｎがＮｉ層そして下地Ｃｕへ浸透。残存Ｎｉ層ではＰ富化。ＮｉにＳｎが存在。
ＣｕはＩＭＣに存在し粒界に掃かれる。
→特定方向配向のＳｎ粒経由のＮｉとＣｕの高速拡散路による破壊モード
ａ、ｂ軸方向の対しｃ軸方向はＣｕで４０倍、Ｎｉで70000倍速い。
Ｓｎのｃ軸が電流方向と高角だとＳｎでのＣｕ、Ｎｉ拡散は遅く、破壊はＳｎの自己拡散または格子拡散で特徴付けられ、
ＩＭＣとはんだ間にボイド形成。
ｃ軸が電流方向に揃うとＣｕ、Ｎｉの拡散は非常に速い。Ｃｕ６Ｓｎ５ＩＭＣはすぐにばらばらになり粒界へ一掃され、粒界経由
で反対側へ。
Ｓｎ−ＣｕはんだとＳｎ−Ａｇはんだの粒組織の違いの影響
Ｓｎ−Ｃｕはんだ接合では少し小さい粒がＥＭで２、３個の大粒に粗化。
Ｓｎ−Ａｇは少ない独立粒がＥＭ中安定。
Ｓｎ−Ａｇ系ではこれら多くの粒は結晶学的関係にある。
双晶、特に繰り返しの回転（６０°）双晶が一般的。
Ｈｏｎｇｗｅｎ
５ｘ１０３Ａ／ｃｍ２
電流負荷でカソード側に亀裂、亀裂は界面に沿って伝播、アノード側には明らかな変化はない。
Ｌiang
Ｓｎ−Ｃｕはんだ接合での電流方向の影響。
１．３ｘ１０４Ａ／ｃｍ２、１００℃、バンプは半分切断。
ＵＢＭカソード
基材側（アノード側）にヒロック。
電流負荷増でカソード側にボイドが形成され伝播。
ＵＢＭアノード
電流負荷１５０ｈで多量のＩＭＣがチップ側（カソード近く）に形成、円で示した部分にも多量のＩＭＣ。
ヒロックは形成されない。
１６３２ｈでＩＭＣ形成がより顕著、基材側に厚いＩＭＣが存在。（論文では厚いＵＢＭとするが間違いだろう）
電子が出る部分（上方左角）にヒロックが存在。ひとつの小さなウィスカが突き出ている。（ヒロックから）
粒構造とＩＭＣ分布
Ｓｎ粒がＩＭＣより暗く見える。
Ｓｎ粒界のＩＭＣがＳｎ原子拡散路を阻止しヒロックとウィスカ形成を抑制。
EM Ｌｉｎｇ
共晶ＳｎＰｂ、１５０℃雰囲気、電流５ｘ１０３Ａ／ｃｍ２
基材：Ａｕ／ＮｉまたはＯＳＰ、ＵＢＭ：Ｃｕ／Ｎｉ
平均破壊寿命はＯＳＰがＡｕ／Ｎｉより６倍良い。
ＯＳＰ
高温のためＳｎＰｂ粗大化、
Ｎｉ ＵＭＢのＮｉ消費は不均一で電子が入る部分が速く、２相構造となる。
ボイドは電子が入る部分からは始まらず、ボイド上のＮｉ ＵＢＭは依然そのままで、ＩＭＣはＣｕ６Ｓｎ５。
電流負荷が更に長くなるとボイドは界面に沿って左へ伝播。
３０００ｈで接合は完全に溶融。
Ｐｂはアノード（基材）側に追いやられる。
ＯＳＰで極性反転。
極性反転でＰｂはアノード側（チップ側）へ。
Ａｕ／Ｎｉ表面処理基材
負荷まえにはＣｕが完全に消費されＣｕ６Ｓｎ５となり、Ｎｉ３Ｓｎ４は形成されない。
５５０ｈ（ｃ）で基材側のＣ（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５層上にほとんど連続な（Ａｕ，Ｎｉ）Ｓｎ４層が形成される。
６００ｈ（ｄ）で接合は溶融し破壊。
右から左に３領域が認められる：２相領域、Ｎｉが使い果たした領域、Ｎｉがいくらか残っている領域。
Ｎｉ消費は右と左で非対称。
ＯＳＰが６倍平均破壊寿命が良い、これはＮｉ ＵＢＭ消費がＯＳＰが遅いため。
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