ＪＥＤＥＣ ＪＥＳＤ２２−Ｂ１１７Ａによればはんだボール試験でツールの移動速度は
低速度 ０．０００１〜０．０００８ｍ／ｓ
高速度 ０．０１〜１．０ｍ／ｓ
日立化成
リフローの影響
SAC305とSnCuNi（Snα）/OSPの延性破壊率の比較
電解Ni/Auと無電解Ni-P/Pd/Auの比較
Ｓα：ＳｎＣｕＮｉ、他はＳＡＣ３０５
Ni/AuはIMCとNi界面、それ以外はIMC表面付近
エージングの影響
Ni-P/Pd/AuがIMC成長遅い。薄く平滑。
日立化成
はんだＳＡＣ３０５（？）
表面処理による延性破壊の割合 Ｎｉ−Ｐ／ＡｕとＮｉ−Ｐ／Ｐｄ／Ａｕ
電解Ｎｉと無電解Ｎｉ−Ｐ
ＩＭＣの影響
Ｎｉ−Ｐ＝０
Ｎｉ−Ｐ／Ｐｄ／Ａｕ構成
Ｎｉ−Ｐ＝０．１μｍ
Ｎｉ−Ｐ＝０．３μｍ
Ｓｎ／Ｃｕ／Ｎｉの上にＮｉ−Ｐが存在。
Ｓｎ／Ｃｕ／Ｎｉ存在部にはボイド存在しない。
Ｎｉ−ＰとＣｕの間にＳｎ／Ｃｕ／Ｎｉ成長
ボイド発生モデル
Ｎｉ−Ｐの粒界部にボイド生成拡散
Ｎｉ−Ｐ＝１μｍ
Ｊｏｈａｌ
ＳＡＣ３０５、ピーク２５８℃、ＴＡＬ：５７秒。
せん断
冷間引張り
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