王博士論文
Ａｕ／Ｓｎ／Ｃｕ、Ａｇ／Ｓｎ／Ｃｕに影響が見られる。
２５０℃リフロー
Chang 固相反応Au/Sn/Cu
Ｓｈｉｎ Ａｕスタッド・バンプ｜ＳｎＡｇ｜ＣｕまたはＣｕ／Ｎｉ／Ａｕ
ＳｎとＰｔ
対向Ｃｕ基体はＰｔ基体での形成相には影響を与えないが速度に影響、遅くする。
Ｓｎ／Ｐｔ ２５０℃、１０ｓ、３０ｓ、１ｍ、５ｍ、１０ｍ、２０ｍ、３０ｍ、１ｈ Ｓｎ／Ｃｕ
Ｌｕ
Ｓｎ：１５０μｍ厚み、サンドイッチをリフロー。
Ｃｕ／Ｓｎ／Ｐｄ
Ｐｄ側は（Ｐｄ，Ｃｕ）Ｓｎ４、 成長速度はＳｎ／Ｐｄ単独と同じ。
Ｎｉ／Ｓｎ／Ｐｄ
長時間リフローでＳｎ／Ｎｉ側でＮｉ３Ｓｎ４の上に（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４が生成。
Ｗａｎｇ Ｃｕ／Ｓｎ／Ｃｏ
75-580μｍ電解Ｓｎ、電解Ｃｏ、拡散対、電解めっきで製作。
Ratchev
３μｍＣｏ Ｃｏ｜Ｓｎ｜Ｎｉ／Ａｕ
Labie Ｃｏ｜Ｓｎ｜Ｎｉ／０．１５μｍＡｕ
リフローでＣｏＳｎ２形成、上に（Ａｕ，Ｃｏ）Ｓｎ４の連続層
Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｇ
Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｇ｜ＳＡＣ３０７｜Ａｕ／ＮｉＰ／Ｃｕ
ダイオードはＴｉ／Ｎｉ／Ａｇでおのおの０．１５、０．２５、２μｍ
ＭＯＳＦＥＴはＡｌ／Ｔｉ／Ｎｉ／ＡｇでＴｉ／Ｎｉ／Ａｇは０．１５、１、０．６μｍ
ダイオード／はんだ
Ｙａｎ
Ａｕー２０ＳｎとＩｎ−４８Ｓｎを無電解３Ｎｉ／０．２Ａｕと０．２Ｔｉ／２Ａｕ
Ｔｉの反応層は見えない。
Ｈｏｏｇｈａｎ ２００３
下地Ｃｒは１５０ｎｍ、Ｃｒ−Ｃｕは純Ｃｒから純Ｃｕの傾斜組成（同時デポ）で３００ｎｍ。Ｃｕは１５０、６００、１０００ｎｍ。
Ａｕ（厚み？）のあと９５ＰｂＳｎはんだを蒸着。基板のＦＣパッドには２．５μｍの共晶組成Ｓｎ−Ｐｂをコート。
約３４０℃でバンプ化したダイを２２０℃の窒素雰囲気で基板とリフロー。
１５０℃で加速試験。
Ｃｒ層が１．５〜３μｍと厚くなっている。
Ｒｏｎｎｉｅ ＰｔとＮｉ−Ｐ
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