（１２−２−１） ひずみ速度と諸事象
ひずみ速度＝変位速度／（試験片長）
静的引張試験 １０−３〜１０−２ｓ−１
クリープ速度 １０−８〜１０−５ｓ−１
程度とされる。
小嶋
Fei
Ｓｕｂｂａｒａｙａｎ
低ひずみ速度 １０−６ｓ−１〜１ｓ−１
はんだ接合とバルク（ドッグ・ボーン）試料の違い →（１２−３） はんだ接合破壊
接合での応力−ひずみ不均質性
ＳＡＣ（ＳＡＣ３８７？）
材料の特徴化
単調（応力−歪）とクリープ
単調とクリープ・データ
ＳＡＣでの単調とクリープ（最小クリープ速度）の等価性
Ｚｅｎｅｒ Ｈｏｌｌｏｍｏｎパラメーター
Ｚ＝（ひずみ速度）×exp（Ｑ／ＲＴ）
ひずみ速度と温度効果の等価性
＊小嶋によると１０−５〜１０２／ｓで有効。
高ひずみ速度試験
Ｈｏｐｋｉｎｓｏｎ Ｂａｒ試験で３０００ｓ−１まで
通常法では１ｓ−１オーダー
ホモロガス温度の影響
Ｚａａｌ
ほとんど温度の影響を受けない領域
ひずみ速度依存挙動
実用荷重に耐えられない領域
クリープ
Zhang
（１２−２−２）） 諸特性のひずみ速度依存性
諸特性（応力）をひずみ速度の関数としてみる →動的特性
変形応力＝係数ｘ（ひずみ速度）ｍ ｍ：ひずみ速度感受性
ひずみ速度を応力の関数としてみる →定常状態クリープ
ひずみ速度＝係数ｘ（応力）ｎ ｎ：応力指数
あるいは温度を考慮すると
ひずみ速度＝係数ｘ（応力）ｎexp〔−Ｑ／（ＲＴ）〕
低ひずみ速度ではクリープでの応力−ひずみ速度試験結果は応力−ひずみ試験結果と一致する
（通常の引張試験ではひずみ速度は１０−２〜１０−３ｓ−１）
基板レベルでの高ひずみ速度試験には振動や落下衝撃などがある。
（ＢＧＡの）せん断強度では変位速度（ｍｍ／ｓ）が使用される。
バルクと接合で違いが生じる。
はんだ接合の場合はひずみ速度の変化に伴い、破断場所の変化あるいは破断モードの変化が起きる。
→ （１２−３） はんだ接合破壊
はんだはひずみ速度の増加で強度が上昇する。
Ｃｈｅｎｇ
Plumbridge
Ｓｎ−３．５Ａｇ、Ｓｎ−０．５Ｃｕ、Ｓｎ−３．８Ａｇ−０．７Ｃｕを調査。
Ｓｈｏｊｉ
Ｋｉｍ Ｓｕｇａｎｕｍａ
ＳＡＣ Ｙａｓｕｄａ
引張り強度は静的引張り（１．６ｘ１０−３ｓ−１）より大きく変化するが破壊伸びは大差ない。
シンガポールのＣｈｅら
Ｃｈｅ
Ｐｏｈ
Kim
Ｘｉｅ
破壊模式図
Ｓｈｉ Ｓｎ−３７Ｐｂ
−４０℃での微細構造の進展、（ａ）試験前、（ｂ）低ひずみ速度２．７８ｘ１０−５試験による粗大化
（ｃ）高ひずみ速度２，７８ｘ１０−１による微細組織
時間が十分だと再結晶で粗大化、短いと再結晶を無視できる。
Ｂｏｙｃｅ
エージングで粒成長
高速化で小傾角粒界増加
koko Ross Jr
Ｍｕｒｔｙ Ｓｎ−５Ｓｂ インデンテーション
ＡＢＩ：indentation
Ｚｏｕ Ｓｎ−３Ｃｕ／Ｃｕ
高速試験法 Wong
上西
直接引っ張りＳｐｌｉｔ Ｈｏｐｋｉｎｓｏｎ Ｂａｒ法的方法
・せん断強度
hartford
・ＢＧＡ
Kawashiro NEC
SAC305、φ０．３ｍｍBGA
ＳＯＰ：solder on pad
Ni/Cu/AuとSAC305、Cuは完全消費。
高せん断速度たとえば衝撃にはNi/Cu/Auが良い。
界面IMC（Cu,Ni,Au)6Sn5は良くない。
＊ＪＥＤＥＣ ＪＥＳＤ２２−Ｂ１１７Ａによればはんだボール試験でツールの移動速度は
低速度 ０．１〜０．８ｍｍ／ｓ
高速度 １０〜１０００ｍｍ／ｓ
・ＩＭＣ
ＩＭＣの
圧痕indentationによる
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