（１５−１） 種々のウイスカー外観（写真集）
ここで特に問題とするのは電子製品で主にSnめっき（場合によってははんだ）から生成する純Ｓｎのウィスカで、下地から潜伏期間をもって
自発的に発生、更に経時的に成長する点で、ＶＬＳ機構などによる化学反応によって形成される他のウィスカと異なる。
多くは真っ直ぐな針状だが、湾曲bentしたもの、屈曲kinkしたものやノジュールnodule状（結節）、（あるいはヒロックhillock（小丘状）ともいう）
など種々の形状が生じる。
成長によって直接、回路間を短絡したり、折れて取れて、ゴミとなり種々の障害を起こす。
Ｓｎウィスカは電子部品ないしそのパッケージの端子、金属缶、ＰＷＢパッド、機械的ファスナ、コネクター、シールドなどのＳｎめっき表面
から主に生じるが、はんだからも生じる場合があり、更にＺｎウィスカなど他の金属の表面処理からも生じるウィスカもある。
（１５−１−１） 種々の形状・形態のウィスカ
ＩＮＥＭＩ
ウィスカ・フィラメント 一定断面のウィスカ
屈曲（キンク）したウィスカ ノジュールから成長したキンクしたウィスカ
ヒロック ヒロックから発生したウィスカ
筋のあるウィスカ・フィラメント
異形萌出上の屈曲ウィスカ 輪を持つウィスカ
光沢Ｓｎ上の分岐したウィスカ 長さ１４−３４μｍのＳｎウィスカ・フィラメント
＊上記Hillockとflaments 1500X以外はＪＥＤＥＣ ２２Ａ１２１のＡｎｎｅｘ ＣのTin Whisker Imagesと同じ
ＮＡＳＡ
tyco
光沢Ｓｎ上のフィラメント 変形域近くのウィスカ Ｎｉ上マットＳｎ上の小さなウィスカ
ウィスカ粒近くの沈んだ粒界 Ｓｎ／Ｐｂウィスカ ウィスカ根元のＣｕ−Ｓｎ ＩＭＣ
ウィスカは変形域に優先成長
Ashworth ２０１３
成長方向に垂直な筋striation、平行な溝fluted
・種々の呼称
Sun
Coockson
ウィスカとヒロック
INEMI
定断面 筋 輪
腐食の影響
・ＺｎウィスカとＳｎウィスカ
brusse 2003
＊半導体の配線（主に気相成長膜）ではマイグレーション（ストレス・マイグレーション、エレクトロ・マイグレーション）によってアノード側に
発生する小突起を通常ヒロックと称する。
Al ヒロック
カソード側にボイド、アノード側にヒロック生成。
AlとCuのエレクトロ・マイグレーションによるヒロック
＊擬似ウィスカ、非真正ウィスカ
擬似ウィスカ・・・無電解Snめっき中に成長。
栗原によると
＊無電解めっき時の銅表面の防錆処理や付着した異種金属で局部電池を形成し、Ｓｎの異常析出によって起きると言う。
→Panashchenkoのめっきデンドライト
非真正ウィスカ・・・化学反応によるもの。VLSウィスカなど。 →ナノ・ワイヤー
マックス・プランク研究所
・部品例
（１５−１−２） 種々のＳｎ合金のウィスカ
・Ｓｎ合金からのウイスカー例
SAC405はんだ表面
ホット・ディップSAC305
ＳｎＡｇ共晶はんだ
ＳｎＣｕ電解めっき
Ｓｎ−６．６Ｌｕ合金
Ｓｎ３Ａｇ０．５Ｃｕ１．０Ｃｅはんだボール
希土類含有はんだ接合
Ｓｎ−Ｂｉめっき
Ｓｎ−Ｓｂ合金
Ｓｎ５Ｓｂ、２００℃、２００ｈ
ＡｕＳｎはんだ、成分はＡｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ
Ｓｎ５０Ａｌ
Ｓｎ−Ｍｎ電解めっき
Ｓｎ−Ｐｂ被覆
Ｓａｍｐｓｏｎ
Ｖｉａｎｃｏ
ＣｕピンとＡｕコートのＳｎ−５２Ｉｎ接合からのウィスカと共晶ＳｎＰｂからのＰｂウィスカ
ＳｎＰｂコートからのウィスカ
多結晶例 直径１０〜２５μｍ、電解Ｓｎ
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