以下主にＣｈｅｎｇ論文から
Ｙａｎｇ（２００８）
べき乗則流動機構
indentation（圧痕）法で荷重と生じた応力勾配でウィスカ形成・成長が増加、Ｓｎ膜厚で減少。
Ｔｕ＆Ｌｉ（２００５）
粒界流体流動モデル
粒界流体流動が粒界拡散より速い。
粒界拡散
流体流動
比は
基材と被膜の界面が粘性層を形成する。これで極めて急速なウィスカ成長が説明できる。
＊Ｋ．Ｎ．Ｔｕ＆Ｊ．Ｃ．Ｍ．Ｌｉ ２００５
βＳｎ上の自発的ウィスカ成長は表面近くの圧縮応力駆動クリープ現象。
ウィスカは表面から成長し、酸化された表面が必要でと酸化物は保護的でなければならない
粒界流体流動機構説を提案。
Ｃｈｅｎｇ Howard,Cheng,Vianco,Li(2011)
界面流体流動interface fluid flow
〔００１〕のような結晶方位でヒロックが形成。十分大きくなると酸化物層を破る。
拡散は十分な大きな質量輸送を補給しない。
Ｓｎ原子は粒界に沿って下へ基材とＳｎの界面へ移動し、界面を経由してヒロックの根元に蓄積し粒全体を押し上げる。
水平粒界は狭く界面より流動しにくく、Ｓｎ原子はＳｎと基体の界面を輸送することを好む。
垂直粒界経由の下方への流動は搾り出し流動でモデル化。
ひずみ勾配説
Ｓｏｂｉｅｃｈ
ひずみ勾配がＳｎ原子輸送の駆動力
Sun（２０１１）
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