リフローによるパッケージ及び基板の変形（反り）がＰｂフリーではより顕著になり、特に
大型部品ないしエリア・パッケージ（ＢＧＡ、ＬＧＡ）で問題となりうる。
パッケージの反りの原因はＳｉ（３〜５ｐｐｍ／Ｋ）と封止樹脂（１５〜２０ｐｐｍ／Ｋ）の熱膨張率差である。
Ｄｅｌｐｈｉ
エンジン制御モジュールＥＣＭ基板
ＳｎＰｂ用リフロー・プロファイル
回路基板の反り
反りが顕著。
ばらつきが大きい。
リフロー毎に変化（段々悪くなる）。
回路基板反り解析の結論
そりは顕著に変動
ロット、基板、吸湿量、リフロー経路（製造条件での出発点）
吸湿量の影響は一貫性がない
ロット内での効果が顕著
最適条件はロットで変動、しかし一般的にベーク乾燥が悪い。
ＰＢＧＡ領域の反りは大ＢＧＡのＰＢＧＡアセンブリ歩留まりに影響を与えるほど大きい
Ｐｂフリー・リフロー・プロファイルはより反りを引き起こすだろう。
この調査は単一の部品Ｎｏ．で単一供給者
iNEMI
部品・基板アセンブリでの鍵となる欠陥
実験方法
大きいパッケージが反りが大きい。
ベークがリフローでの反りを減少させる。
湿度雰囲気曝露が反りを増加させる。
影響は２０−５０μｍ。
使用した封止樹脂に依存。
Bezuk
Ｌｉｕ
ＢＴ基材（ＣＴＥ：１７ｐｐｍ／℃）
反りによるアセンブリの問題
Wulfert パッケージ反り
パッケージ反りではんだ接合不良が発生。
パッケージ反り
パイオニア
基板反りによるＱＦＰのリード浮き（２５６Ｐｉｎ、６層ビルドアップ基板、１２２ｍｍｘ１０１ｍｍ、０．８ｍｍｔ）
千住
日東電工
上：封止樹脂ＥＣＭ、下：基板ＢＴ
Ｒ２：封止樹脂の収縮量が基板より大きい→凹
Ｒ１：Ｔｇ以下で封止樹脂の熱膨張係数が基板より小さくなり徐々に反りは小さくなる。
Ｒ３（リフロー温度）：封止樹脂の熱膨張係数が基板より大きい→凸
ＮＰＬ 基板の変形
ガラス転移点
ＦＲ４：約１４０℃
高Ｔｇエポキシ：約１８０℃
ＢＴエポキシ：１８０−２００℃
ポリイミド：約２６０℃
基板対角の距離変化
１辺の変形
５Ｎ荷重での各種ＰＣＢ素材の高温変形量
反りのＬＧＡとＢＧＡへの影響
PLEXUS
Lee
→反りによるＢＧＡ不良
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