Ｎｉ／Ａｕ系はウイスカ問題がないがコストとＡｕによる問題、無電解ではＰにより生じる脆性的性質が問題とされる。
ＮｉはＩＭＣ層形成から通常厚みは２μｍ以上とされる。
ＮｉはＳｎとＣｕと異なる反応、ＩＭＣ層形成するので注意が必要である。
またＮｉは上に保護層としてＡｕを形成するがこのＡｕ層が厚くなるとＡｕのＩＭＣ形成による問題を生じる場合がある。
これらについては以下を参照。
（１１−４−３） 無電解Ｎｉ−Ｐの界面反応層
（１１−４−４） 無電解Ni-PにおけるＰ量の影響
（１１−４−５） Ｎｉ製法の比較
（１１−４−６） Ａｕ厚みの影響
（１１−４−７） Ｎｉ／ＡｕとＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの比較
（１１−８−５） ＮｉＰ基材での剥離
（１１−１０） ＡｕＳｎ４再堆積問題
（１６−７−３） 部品の接合強度の試験結果例
Ｎｉ系めっき（電極形成）の概要
Ｎｉ金属化層の製法
スパッタ・・・主にＵＢＭ
Ｎｉ
Ｎｉ（Ｖ）
電解
無電解
Ｎｉ（Ｐ）
Ｎｉ（Ｂ）
無電界ＮｉにはＰを含有するものとＢを含有するものがあるが、コストからＢを含有するものは通常使用されない。
保護層のＡｕ層は電解Ａｕが置換Ａｕより一般的に厚い。
また無電解Ｎｉ（Ｐ）／置換Ａｕではブラック・パッドという現象が起きることがありこの対策として無電解Ｐｄを挟むものがある。
Ａｕ厚みはおよそ以下である。
電解
薄付け ０．１〜０．５μｍ
厚付け ０．５〜１．５μｍ
硬Ａｕ：純度９９．６％
軟Ａｕ：純度９９．９％
無電解
薄付け（フラッシュ） ０．０３〜０．０５μｍ
厚付け ０．１〜０．５μｍ
（特別） ０．５μｍ
厚みの変動はＺｅｎｇによると
電解
Ｎｉ：５μｍに対し±１μｍ
Ａｕ：０．７μｍに対し±０．２μｍ
無電解（ＥＮＩＧ）
Ｎｉ：５±０．５μｍ
Ａｕ：０．１±０．０２μｍ
厚付けは特にワイヤボンディング用、硬Ａｕは接点用
Ｎｉ／Ａｕの欠点、懸念事項
脆いことによるフレキブル基板での亀裂
形成ＩＭＣ相がＣｕと異なる
保護被覆Ａｕの影響
無電解ＮｉではＰの影響
種類
電解Ni/Au
無電解Ni-P/置換Au（ENIG）
無電解Ni-P/Pd/Au
特殊なもの
選択ＥＮＩＧ
＊ＥＮＩＧの界面ＩＭＣ層の脆性的破壊をきらう、特にＢＧＡなどの部分についてはＥＮＩＧを避け、ＯＳＰなどとする
ものであるが、レジストのＥＮＩＧへの影響、ＯＳＰのＥＮＩＧへの影響などが懸念材料となっている。
ＤＩＧ（直接置換Ａｕ）
フレキブル基板などでＮｉ層の脆さを気にする場合など。
チップ部品のＮｉ／Ｓｎ
ＮｉとＡｕあるいはＰｄについては各々電解と無電解あるいは置換があり複雑な組み合わせがあり得る。
以下にこれまでに紹介していない話題を紹介する。
Ｊｅｏｎ ＥＮＥＣ／ＯＳＰ Ｎｉ−Ｐ／Ｃｕ／ＯＳＰ
ブラック・パッド回避のため薄いＣｕ層（〜１μｍ）を形成。
ＯＭＧ
Ｐｄ活性剤によるＮｉ−Ｐの成長
ＪＡＸＡ
ＥＮ：無電解Ｎｉ、ＥＰ：無電解Ｐｄ、ＩＧ：置換Ａｕ、ＥＧ：電解Ａｕ
杉崎
還元剤としてジメチルアミンボランを使用しＮｉ−Ｂ系めっき
浴の制御が困難
Ｂｉ含有量は少ない、６重量％以下。通常１重量％以下。
ミクロエース
Ｓｈｉｎ Ｐｄ厚さとボイド
無電解Ｎｉ／無電解Ｐｄ／置換Ａｕ
Sn-1.2Ag−０．５Ｃｕ（ＬＦ３５）
前処理：８５℃、８５ＲＨ％、３Ｈとリフロー３回
温度サイクル：−５５〜１２５℃
界面ＩＭＣは（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５
ボイドはガス巻き込みか（Ｐｄ，Ｎｉ）Ｓｎ４のクリープ
Ｓｏｈｎ
Ａｔｏｔｅｃｈ
無電解純Ｐｄめっき（Ｐが共析しない）とＡｕ被覆にないＥＮＥＰの可能性
純Ｐｄが柔らかい。
土田 微量添加物の影響
ＥがＣより平坦。Ｅが他の欲よりＩＭＣの形態良好。
結論
重金属を含まないめっき浴は信頼性低下。
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